半导体器件制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在形成硅膜的同时，通过注入或加入搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源极和漏极区域。如上所述，本方法在形成硅的同时执行离子注入或结合掺杂剂离子，以形成多晶硅，从而能够在现有的离子注入过程中省略清洁和热处理工序。因此，与现有的栅极形成方案相比，本发明专利技术能够大大减少运行周期，从而能够改善半导体器件的生产能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
在现有技术的半导体器件中，可以用多晶硅形成栅极，以减小栅电极电 容并改善电路的开关特性。 一般是通过将离子注入多晶硅层而形成栅电极。 将离子注入多晶硅层，然后执行清洁工序来清洁在进行离子注入时所产生的 杂质和离子等。并且，在形成了经注入杂质的多晶硅层后，可再执行清洁工 序来清洁在热处理工序中产生的杂质。换句话说，在形成经注入杂质的多晶 硅层的步骤中可包括离子注入工序和热处理工序。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供用以形成栅极时的简化工序，其能够縮短制造时间。本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤在形成硅膜 的同时，通过注入或另外沉积搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图 案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅 图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源 极和漏极区域。如上所述，本方法在形成硅的同时执行离子注入或结合掺杂剂离子，以 形成多晶硅，从而能够在现有的离子注入过程中省略清洁和热处理工序。因 此，与现有的栅极形成方案相比，本专利技术能够大大减少运行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在形成硅膜的同时，通过沉积搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源极和漏极区域。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-17 10-2007-00479821.一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤在形成硅膜的同时，通过沉积搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件作为掩模，形成源极和漏极区域。2. 如权利要求1所述的方法，其中该经掺杂的多晶硅膜是在炉内或快速 热处理装置中形成的。3. 如权利要求1所述的方法，其中该经掺杂的多晶硅膜是在提供了 1.5xl(^ 2.5xlO^原子/cmS的掺杂剂浓度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宣钟元，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]