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本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在形成硅膜的同时，通过注入或加入搀杂剂离子而形成经掺杂的多晶硅膜；通过图案化该经掺杂的多晶硅膜而形成经掺杂的多晶硅图案；在该经掺杂的多晶硅图案两侧形成间隔件；以及使用该多晶硅图案和该间隔件...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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