半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法。该半导体器件可以包括半导体衬底，形成有诸如晶体管的器件结构。层间介电层可以形成在具有金属互连的半导体衬底上，该金属互连穿过层间介电层而形成。在金属互连的至少部分侧壁处形成间隔件。可以在金属互连的上表面上形成扩散阻挡。本发明专利技术可以提高半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
图像传感器为用于将光图像转换为电信号的半导体器件。在各种图像传感器中，电荷耦合器件(CCD)包括多个MOS (金属氧 化物硅)电容，其相互紧密排列以存储或转移电荷载体。相反地，CMOS(互补MOS)图像传感器采用切换模式，通过使用CMOS 技术相应于像素数量所制备的MOS晶体管，以顺序地检测像素输出，所述 MOS晶体管使用外围器件，例如控制电路和信号处理电路。近来，CMOS图像传感器中的像素数量增加到百万级，因此减小了像素 的尺寸。这种像素尺寸上的减小导致对形成在像素上的微透镜的尺寸的限 制。因此，还限制了构成像素周围的逻辑电路的金属互连层。当CMOS图像传感器的像素数量增加时，为了增大像素面积，重要的是 改进互连处理。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种半导体器件和及其制造方法，所述半导体器件 能够在形成金属互连时通过防制铜互连被氧化来确保金属互连的可靠性。依据实施例的半导体器件包括层间介电层，形成在半导体衬底上；金 属互连，穿过所述层间介电层而形成；间隔件，位于所述金属互连的侧壁处; 和扩散阻挡区，形成在所述金属互连的上表面上。依据实施例的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：层间介电层，形成在半导体衬底上；金属互连，穿过所述层间介电层而形成；间隔件，位于所述金属互连的侧壁处；和扩散阻挡区，形成在所述金属互连的上表面上。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-17 10-2007-00478891.一种半导体器件，包括层间介电层，形成在半导体衬底上；金属互连，穿过所述层间介电层而形成；间隔件，位于所述金属互连的侧壁处；和扩散阻挡区，形成在所述金属互连的上表面上。2. 依据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属互连包括铜。3. 依据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属互连包括阻挡金属 层和籽晶层。4. 依据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔件包括金属。5. 依据权利要求4所述的半导体器件，其中所述间隔件包括Ta或TaN。6. 依据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔件设置在所述金属 互连的侧壁的上部。7. 依据权利要求1所述的半导体器件，其中所述扩散阻挡区包括钴和鸨。8. —种半导体器件的制造方法，其包括 在半导体衬底上形成层间介电层； 穿过所述层间介电层形成金属互连； 在所述金属互连的侧壁处形成间隔件；和 在所述金属互连的上表面上形成扩散阻挡区。9. 依据权利要求8所述的方法，其中形成所述金属互...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珍皞，柳商旭，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]