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本发明提供一种半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法。该半导体器件可以包括半导体衬底，形成有诸如晶体管的器件结构。层间介电层可以形成在具有金属互连的半导体衬底上，该金属互连穿过层间介电层而形成。在金属互连...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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