图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括半导体衬底、金属互连层、光接收单元、透镜型上电极以及滤色镜。所述半导体衬底可以包括电路区域。所述金属互连层可以包括金属互连和层间电介质。所述光接收单元可以是设置在金属互连层上的光电二极管。透镜型上电极可以设置在光接收单元上并形成凸透镜形状。所述滤色镜可以设置在所述透镜型上电极上。在本发明专利技术中，通过垂直层叠晶体管电路和光电二极管，填充系数可以接近１００％。利用这种垂直排列，对于相同大小的像素，可以提供比现有技术中水平图像传感器更高的敏感度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
图像传感器是将光图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器通常可以分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器(CIS)。CIS包括每一单位像素的光电二极管和金属氧化物半导体(MOS)晶体 管，以便以切换(switching)方式依次检测各单位像素的电信号，从而生成 图像。典型地，所述CIS包括将光信号转换为电信号的光电二极管区域， 和处理所述电信号的晶体管，其中所述光电二极管和晶体管水平地安置 在半导体衬底上。在所述衬底上，水平型CIS的光电二极管与所述晶体管在水平方向 上相邻。因此，对每个像素，都需要衬底上的额外区域来形成光电二极 管区域。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种图像传感器以及制造该图像传感器的方法，该 图像传感器包括垂直层叠的晶体管电路和光电二极管。在一个实施例中，图像传感器可以包括半导体衬底，在该半导体 衬底上具有晶体管电路；位于所述半导体衬底上并连接至所述晶体管电 路的金属互连层，其包括金属互连和层间电介质；位于所述金属互连层 上的光接收单元；位于所述光接收单元上的透镜型上电极(upper e本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其包含：半导体衬底，在该半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体电路；金属互连层，其位于包括所述互补金属氧化物半导体电路的所述半导体衬底上，并包括金属互连和层间电介质；光接收单元，其位于所述金属互连层上；以及上电极，其位于所述光接收单元上，所述上电极形成为具有凸透镜形状的透镜型上电极。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-17 10-2007-00478881.一种图像传感器，其包含半导体衬底，在该半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体电路；金属互连层，其位于包括所述互补金属氧化物半导体电路的所述半导体衬底上，并包括金属互连和层间电介质；光接收单元，其位于所述金属互连层上；以及上电极，其位于所述光接收单元上，所述上电极形成为具有凸透镜形状的透镜型上电极。2. 根据权利要求l所述的图像传感器，其中所述光接收单元包括 第一导电型导电层，其位于所述金属互连层上；本征层，其位于所述第一导电型导电层上；以及 第二导电型导电层，其位于所述本征层上。3. 根据权利要求l所述的图像传感器，其中所述光接收单元包括 本征层，其位于所述金属互连层上；以及 第二导电型导电层，其位于所述本征层上。4. 根据权利要求l所述的图像传感器，还包括下电极，其位于处在所述 光接收单元之下的金属互连上。5. 根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述透镜型上电极包括透明 电极。6. 根据权利要求l所述的图像传感器，还包括滤色镜，其位于所述上电 极上。7. —种制造图像传感器的方法，其包含如下步骤 在半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体电路； 在所述半导体衬底上形成包括金属互连和层间电介质的金属互连层，所述金属互连为所述互补金属氧化物半导体电路提供连接； 在所述金属互连层上形成光接收单元；以及 在所述光接收单元上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳商旭，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]