半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，包括：形成一材料层；在所述材料层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成抗反射层和光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层；依次刻蚀所述抗反射层和硬掩膜层；对所述衬底进行加热烘焙；刻蚀所述材料层。本发明专利技术方法能够去除刻蚀时产生的聚合残留物，从而减少下步刻蚀的蚀刻缺陷，获得更好的蚀刻图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。技术背景随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、 更大的数据存储量以及更多的功能，晶片朝向更高的元件密度、高集成度方 向发展，半导体器件的栅极变得越来越细且长度变得较以往更短。在制造工艺进入65nm工艺节点之后，半导体器件的最小特征尺寸已经达到65nm以下。为了在晶片上形成精细的图形，通常采用牺牲光掩膜刻蚀技术。先在材 料层例如多晶硅表面沉积一层硬掩膜(hard mask)材料，例如氮化硅；然后 涂布抗反射层(BARC)和光刻胶层。BARC是一种具有流动性的有机高分子 材料，其作用降低曝光时底部硬掩膜层的反射率，以使显影后的图形更清晰。 光刻胶曝光显影后，首先刻蚀硬掩膜，然后再以硬掩膜作为保护刻蚀多晶硅 层。申请号为200410062655.8的中国专利申请公开了 一种栅极结构的制造方 法，图1至图4为说明现有栅极制造方法的剖面示意图。如图1所示，在衬底100 上生长一层栅极介质层110，在栅极氧化层110上沉积多晶硅层120，然后在多 晶硅层120表面沉积硬掩膜层130,随后涂布BARC层140和光刻胶层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成抗反射层和光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位 置；刻蚀所述抗反射层和硬掩膜层；对所述衬底进行加热烘焙；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。

【技术特征摘要】
1、一种半导体器件的制造方法，包括在半导体衬底上形成介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成抗反射层和光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位置；刻蚀所述抗反射层和硬掩膜层；对所述衬底进行加热烘焙；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。2、 如权利要求1所述的方法，其特征在于所述烘焙为原位在线加热烘烤。3、 如权利要求2所述的方法，其特征在于所述烘焙的温度为100°C 200°C。4、 如权利要求3所述的方法，其特征在于所述烘焙时间为1 10分钟。5、 如权利要求4所述的方法，其特征在于所述抗反射层的材料为高分子有机聚合物或卣素水合物6、 如权利要求3或4所述的方法，其特征在于所述烘焙包括升温和降 温的过程。7、 一种半导体器件的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冬平，林涛，王刚宁，蒋晓钧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]