半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底的顶部形成有凸立的栅极结构，相邻所述栅极结构之间的基底中形成有源漏掺杂层；在所述源漏掺杂层的顶面形成叠层结构，所述叠层结构在纵向上包括至少一层牺牲层和至少一层金属层，且所述牺牲层和金属层在纵向上交替堆叠设置；对所述叠层结构进行改性处理，以使所述牺牲层和金属层相互反应，将所述叠层结构转变为金属硅化物层，降低了源漏掺杂层与后续形成的结构(例如源漏插塞)之间的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着集成电路制造工艺技术的不断发展，半导体工艺器件的特征尺寸不断缩小，提高了集成电路的集成度，增加了器件的工作速度，同时降低了功耗。随着晶体管的栅、源和漏有源区的尺寸相应缩小，器件的等效串联电阻随着接触面积的减小而相应变大，从而影响电路的速度。为了降低等效串联电阻，半导体业界发展出金属硅化物工艺技术。

2、金属硅化物工艺技术不仅可以在多晶硅栅上形成金属硅化物，在源和漏有源区也会形成金属硅化物。它能同时改善晶体管的栅、源和漏区域的等效串联电阻和接触孔的接触电阻。

3、器件从平面结构向鳍式场效应晶体管finfet(fin-field effect transistor)结构转变，垂直结构对金属硅化物提出了新的要求和挑战。此外，在接触电阻形成过程中的源、漏区域的外延层的消耗，也是导致接触电阻增大的主要原因。晶体管沟道的应力通过源漏提供，源、漏区域外延层的消耗也会导致应力的弛豫，导致器件性能的进一步退化。

4、因此，当前的金属硅化物工艺技术仍有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述叠层结构包括多层牺牲层和多层金属层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每一层所述牺牲层的厚度为1纳米至5纳米；

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述叠层结构中，位于最底层的所述牺牲层相比于所述金属层更靠近所述源漏掺杂层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层包括a-Si和a-SiGe中的一种或两种。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述叠层结构包括多层牺牲层和多层金属层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每一层所述牺牲层的厚度为1纳米至5纳米；

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述叠层结构中，位于最底层的所述牺牲层相比于所述金属层更靠近所述源漏掺杂层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层包括a-si和a-sige中的一种或两种。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括ni、ti和co中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺包括原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺；

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度与所述金属层的厚度比值介于1：2至1：1。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述叠层结构进行改性处理的工艺包括热...

【专利技术属性】
技术研发人员：张燕燕，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：