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一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底的顶部形成有凸立的栅极结构，相邻所述栅极结构之间的基底中形成有源漏掺杂层；在所述源漏掺杂层的顶面形成叠层结构，所述叠层结构在纵向上包括至少一层牺牲层和至少一层金属层，且所述牺牲层和金属层...
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