【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构及其制造方法，特别是一种立体式封装结构及 其制造方法。背彔技术参考图1，为美国第US4，499，655号专利所揭示的立体式封装结构在回 焊前的示意图。立体式封装结构1包括第一单元10及第二单元20。第一单 元10包括第一半导性本体11、至少一个第一孔12、第一导电层(conductive layer)13及第一焊料(solder)14。第一半导性本体11具有第一表面111和第二 表面112,第一表面111具有至少一个第一焊垫(图未示)及第一保护层 (protection layer)l 13，第一保护层113暴露出第一焊垫。第一孔12贯穿第一 半导性本体11。第一导电层13位于第一孔12的侧壁上，并覆盖第一焊垫和 第一保护层113。第一焊料14位于第一孔12内，第一焊料14通过第一导电 层13电性连接第一焊垫。第一焊料14上端延伸至第一半导性本体11的第 一表面111的上方，其下端延伸至第一半导性本体11的第二表面112的下 方。第二单元20堆栈在该第一单元10上。第二单元20包括第二半导性本 体21、至少一个第二孔22、第二导电层...
【技术保护点】
一种立体式封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：（ａ）提供一半导性本体（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｏｄｙ），该半导性本体具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一个焊垫及一保护层（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ ），该保护层暴露出该焊垫；（ｂ）在该半导性本体的第一表面形成至少一个盲孔；（ｃ）在该盲孔的侧壁上形成一绝缘层（ｉｓｏｌａｔｉｏｎｌａｙｅｒ）；（ｄ）形成一导电层（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｙｅｒ），该导电层覆盖 该焊垫、该保护层及该绝缘层；（ｅ）在该导电层上形成一...
【技术特征摘要】
1、 一种立体式封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤(a) 提供一半导性本体(semiconductor body),该半导性本体具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一个焊垫及一保护层 (protection layer),该保护层暴露出该焊垫；(b) 在该半导性本体的第一表面形成至少一个盲孔；(c) 在该盲孔的侧壁上形成一绝缘层(isolation layer);(d) 形成一导电层(conductive layer),该导电层覆盖该焊垫、该保护层 及该绝缘层；(e) 在该导电层上形成一干膜(dry film),该干膜和该盲孔的相对位置 开设有开口；(f) 在该盲孔内填入一焊料(solder);(g) 移除该干膜；(h) 图案化该导电层；(i) 移除该半导性本体第二表面的一部分及该绝缘层的一部份，以暴 露出该导电层的一部分；(j)堆栈复数个该半导性本体，并且进行回焊(reflow);及 (k)切割该堆栈后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。2、 如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该 半导性本体为一晶圆或一芯片。3、 如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该 盲孔贯穿该焊垫。4、 如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该 步骤(h)之后进一步包括在该导电层上形成一钝化层(passivation layer)以 保护该导电层。5、 如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该 步骤(i)包括(11) 研磨该半导性本体的第二表面；及(12) 蚀刻该半导性本体的第二表面及该绝缘层的--部份，以暴露出该 导电层的一部分。6、 如权利要求1所述的立体式封装结构的制造方法，其特征在于该 步骤(i)之后进一步包括一形成一阻绝层...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏龙，王维中，郑博仁，余国宠，苏清辉，罗健文，林千琪，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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