存储器单元及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种存储器单元（１０），包括：电阻结构（１），和连接至电阻结构（１）的至少两个电极（２），其中：电阻结构（１）包括氢，和电阻结构（１）包括显示出至少１０↑［－８］ｃｍ↑［２］／Ｖ↓［Ｓ］的氢离子迁移率值的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可编程电阻存储器单元，以及制造这种存储器单元的方 法和含有这种存储器单元的非易失性存储器装置。
技术介绍
对于存储器装置和各种其它应用，使用双稳装置或电路。例如，对于在 存储器中存储一个比特的信息，可以使用在至少两个不同和不变的状态之间可转换的双稳装置。当将逻辑r写入到装置中，装置被驱动为两个不变 的状态中的一个；当将逻辑o写入到装置中，或擦除逻辑r ,装置被 驱动为两个不同的状态中的另 一个。每个状态保持直到进行将信息写入到装 置中或在装置中擦除信息的下一个步骤。闪可擦除可编程只读存储器(FEPROM，也称为闪存)用在半导体装置 中并提供快速块(block)擦除操作。典型地，闪存一4殳每个存储器单元仅使 用 一个晶体管，而对于已知的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)每个 存储器单元使用两个晶体管。这样，闪存在半导体装置上占有更少的空间和 比生产EEPROM更加便宜。然而，半导体装置的进一步节省空间的部件和 生产这种装置的有成本效益的制造技术的发展在继续。为此，已经研究了对于半导体装置应用使用具有双稳电阻的材料。材料 的电阻状态可以通过将合适的电信号施加到材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器单元（１０），包括：　　　　电阻结构（１），以及　　　　连接至所述电阻结构（１）的至少两个电极（２），　　　　其中：　　　　所述电阻结构（１）包括氢，和　　　　所述电阻结构（１）包括显示出至少１０↑［－８］ｃｍ↑［２］／Ｖ↓［Ｓ］的氢离子迁移率值的材料。

【技术特征摘要】
EP 2006-12-19 06126497.41.一种存储器单元(10)，包括电阻结构(1)，以及连接至所述电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中所述电阻结构(1)包括氢，和所述电阻结构(1)包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。2. 如权利要求1所述的存储器单元(10)，其中所述电极(2)的至少一 个是对氢基本不渗透的。3. 如权利要求1或2所述的存储器单元(10),其中所述电极(2)的至 少 一 个是对氢基本化学惰性的。4. 如权利要求l、 2或3所述的存储器单元(10)，其中所述电极(2) 的至少一个包括下列之一柏(Pt)、铱(Ir)、铑(Rd)、钌(Ru)、铼(Re)、 锇(Os)和至少包括这些元素之...

【专利技术属性】
技术研发人员：西格弗里德F卡格，格哈德I梅杰，约翰尼斯G贝德诺尔兹，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]