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本发明涉及一种存储器单元（１０），包括：电阻结构（１），和连接至电阻结构（１）的至少两个电极（２），其中：电阻结构（１）包括氢，和电阻结构（１）包括显示出至少１０↑［－８］ｃｍ↑［２］／Ｖ↓［Ｓ］的氢离子迁移率值的材料。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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