【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体工艺方法，且特别涉及一种湿法清洗工艺及使用 此清洗工艺的半导体元件的制造方法。
技术介绍
光刻工艺可用来图案化各种的材料层，或是用来在选择的区域进行一些 工艺，例如是离子注入，是半导体元件的工艺中举足轻重的步骤。典型的光 刻工艺方法是在材料层上涂布一层光刻胶层，然后，经由曝光工艺，选择性 地照射光刻胶层上部分的区域，之后，再经由显影液去除部分的光刻胶层， 以形成光刻胶图案。当光刻胶层为正光刻胶时，显影液去除的是产生裂解的曝光处；当光刻胶层为负光刻胶时，显影液则是移除未产生交联的未曝光处。 当光刻胶图案形成之后，则可以其作为掩模，进行后续的介电层蚀刻、金属 层蚀刻或是离子注入工艺等。当后续的蚀刻或是离子注入工艺完成之后，则 必须将光刻胶层去除。光刻胶层可以干法或是湿法来去除。通常，干法可以 采用氧等离子体；湿法则是以有机溶剂或是各种的酸性溶液来去除。之后， 再进行清洗的工艺，以去除基底表面上残留的光刻胶层或者杂质。以上述传统的光刻、蚀刻技术来进行金属层的图案化时，或是进行其他 的绝缘层的蚀刻但在蚀刻的过程中棵露出金属层时，尤其是金属层的材质...
【技术保护点】
一种湿法清洗工艺，包括：至少进行第一冲洗步骤，该步骤包括：以含有二氧化碳的去离子水冲洗基底；以及排除该含有二氧化碳的去离子水，使该基底暴露于充满二氧化碳的气体环境中。
【技术特征摘要】
1. 一种湿法清洗工艺，包括至少进行第一冲洗步骤，该步骤包括以含有二氧化碳的去离子水冲洗基底；以及排除该含有二氧化碳的去离子水，使该基底暴露于充满二氧化碳的气体环境中。2. 如权利要求1所述的湿法清洗工艺，其中以该含有二氧化碳的去离 子水冲洗该基底的方法包括在清洗槽中持续通入去离子水与二氧化碳，使该 去离子水溢流。3. 如权利要求2所述的湿法清洗工艺，其中使该基底暴露于该充满二 氧化碳的气体环境中的方法包括排出该清洗槽中的去离子水，但持续通入二 氧化碳。4. 如权利要求2所述的湿法清洗工艺，其中该清洗槽包括快排冲水清 洗槽。5. 如权利要求1所述的湿法清洗工艺，更包括在该第一冲洗步骤之后 进行第二冲洗步骤，该第二冲洗步骤是以含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底。6. 如权利要求5所述的湿法清洗工艺，其中该第二沖洗步骤和该第一 冲洗步骤是在同一个清洗槽中进行，且该第二沖洗步骤是以溢流的含有二氧 化碳的去离子水冲洗该基底。。7. 如权利要求6所述的湿法清洗工艺，其中进行该第二沖洗步骤和该 第 一 沖洗步骤的该清洗槽为快排冲水清洗槽。8. 如权利要求7所述的湿法清洗工艺，更包括在该第二沖洗步骤之后 进行第三沖洗步骤，该第三冲洗步骤是以去离子水冲洗该基底。9. 如权利要求8所述的湿法清洗工艺，其中该第三沖洗步骤是在清洗 槽中进行，且是以溢流的去离子水冲洗该基底。10. 如权利要求1所述的湿法清洗工艺，其中该基底上包括金属材料。11. 如权利要求10所述的清洗工艺，其中该金属材料包括铝或铝铜合金。12. 如权利要求10所述的湿法清洗工艺，其中该金属材料上包括抗反射层。13. —种半导体元件的工艺方法，包括提供基底，该基底上具有金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：许荐恩，梁志楠，李浡升，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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