【技术实现步骤摘要】
半导体^S^其讳隨方法狱领域本专利技术涉及将电阻体和熔丝元件并联连接并且肖辦利用熔丝元件的切断来调整电阻值的半导体装置、以及ffi31切断与两个以上电阻体分另拼,接的熔 丝元件来调整由电阻体分割后的电压输出的半导体^1^其制造方法。 背景駄在由多晶自形成的电阻体和熔丝元件并联地电连接的半导体装置中，在 电阻体和熔丝元件形成在同一层的情况下，平面地配置两个元件，成为芯片面积增大的因素。作为其对策，如图9所示，存在如下方法在第一多晶自301 上隔着第^fl雄202层錢二多晶繊302，由此，抑制面积增大。(例如，参考专利文献l)专利文献l:特开平9-246384号公报
技术实现思路
^^腐专利文献1记载的现有技术的帝腊方法中，在使电P且体和熔丝元件 层叠的情况下，会有在切断熔丝元件时激光损伤电阻体的可能性，所以，必须 ^mH鹏202充分厚。但是，当第一氧化膜202过厚时，在第一多晶^M 301和第二多晶鹏302接合中，纵横比变大，因此接合困难。财卜，利用各自 的接Mia行^一多晶硅膜301和第二多晶硅膜302电气接合，但是，还具有 如下问题当不能充分除去第二多晶繊302附着前...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括： 具有主表面的半导体衬底； 沟槽区域，形成在所述半导体衬底的主表面； 覆盖所述沟槽区域内表面上以及所述半导体衬底上的绝缘层； 电阻体，形成在所述绝缘层上，并且，以从所述沟槽区域内向所述半导体衬底的主表面上延伸的方式形成； 第一氧化膜，以成为与所述半导体衬底的主表面相同的高度位置的方式埋入到所述沟槽区域内； 熔丝元件，形成在所述第一氧化膜上，并且，以与所述电阻体重叠的方式形成； 第二氧化膜，以覆盖所述熔丝元件、所述第一氧化膜以及所述电阻体的方式形成； 布线层，形成在所述第二氧化膜上，通过插塞与所...
【技术特征摘要】
JP 2007-2-7 2007-0282971. 一种半导体装置，其特征在于，包括具有主表面的半导体衬底；沟槽区域，形成在所述半导体衬底的主表面；覆盖所述沟槽区域内表面上以及所述半导体衬底上的绝缘层；电阻体，形成在所述绝缘层上，并且，以从所述沟槽区域内向所述半导体衬底的主表面上延伸的方式形成；第一氧化膜，以成为与所述半导体衬底的主表面相同的高度位置的方式埋入到所述沟槽区域内；熔丝元件，形成在所述第一氧化膜上，并且，以与所述电阻体重叠的方式形成；第二氧化膜，以覆盖所述熔丝元件、所述第一氧化膜以及所述电阻体的方式形成；布线层，形成在所述第二氧化膜上，通过插塞与所述电阻体以及所述熔丝元件电连接。2. 根据^^l」要求1的半导体装置，，征在于， 所述电阻体由第一多晶 构成。3. 根据权利要求1的半导体装置，其特征在于， 所鹏丝元件由第二多晶繊构成。4.一种半导体體的制造方法，该半导体錢具有分压器电阻电路，该分压 器电阻电路具有电阻体和熔丝元件，M31切断与电阻体并联连接的熔丝元件来 调整由所述电阻体分割的顿输出，该方法包括如下步骤在半导^l寸底上形^ 沟槽；在形成有所述沟槽的半导体衬底上形自绝缘膜； ^^述场绝缘膜上形，一多晶 ;对戶; ^第一多晶 进行构图；堆积第一氧4W,禾,回亥触法进行平坦化； 形，二多晶 ;对所，二多晶 进行构图；在所述第二多晶繊上形鹏间膜；在层叠有所述第一多晶鹏和第二多晶繊的区域，形成贯穿所述层间膜 和所述第二多晶鹏并超lj所述第一 多晶鹏的插塞-,形舰为布线层的导...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。