【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别是涉及放置在阳极(plate)上的基 板的处理方法。
技术介绍
蒸镀在晶片表面上的薄膜，可以利用蚀刻有选择地去除，并在晶片 表面上形成所希望的图案。在半导体制造过程中会反复进行这种处理。 此外，不仅针对蒸镀的膜，为了生成沟槽(trench)，也可以对硅基板本 身进行蚀刻。薄膜可以包括光致抗蚀剂(photoresist)、氧化硅膜或氮化 硅膜等不同的薄膜。氧化膜或氮化膜与光致抗蚀剂相比会提供更良好的 蚀刻条件。下面，对一般的等离子体蚀刻装置进行说明。将处理气体提供到室 内， 一旦在两个电极之间形成电场，则一部分气体原子被离子化，生成 阳离子和自由电子，形成等离子体。在等离子体蚀刻装置中，由以 13.56MHz动作的高频发生器提供能量。等离子体蚀刻的两个主要素是自由基和离子。自由基具有不饱和键， 为电中性。因此，自由基因不饱和键而具有非常大的反应性能，与晶片 上的物质主要通过化学的作用发生反应。但离子带有电荷，并因电位差 向一定的方向加速，它与晶片上的物质主要通过物理的作用发生反应。另一方面，晶片被装在室内，放置在设置于室内的卡盘上。把晶片 的温...
【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：把基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述 基板进行处理；把所述基板卸到所述处理室的外部。
【技术特征摘要】
KR 2007-3-15 10-2007-00255521.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤把基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行处理；把所述基板卸到所述处理室的外部。2. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理气 体包括蚀刻气体或清洗气体。3. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于，对所述基板 进行处理的步骤还包括以下步骤在所述处理室内形成电场的状态下，向所述处理室内提供所述处理 气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。4. 根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，对所述基板 进行处理的步骤还包括以下步骤对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。5. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于，所述既定压 力为2666.45Pa，所述处理压力为133.32Pa。6. —种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤 把基...
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