基板处理方法技术

本发明专利技术提供一种基板处理方法。把装在处理室内的基板放置在支撑阳极上。然后将处理室与外部隔断，并把处理室内部的压力增加到既定压力。在既定压力下使基板的温度稳定在一定温度，再把处理室内的压力减小到处理压力。一旦在处理室内完成对基板的处理，就把基板卸到处理室的外部。使处理室内部的压力增加的方法包括提供净化气体的方法和提供处理气体的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及放置在阳极(plate)上的基 板的处理方法。
技术介绍
蒸镀在晶片表面上的薄膜，可以利用蚀刻有选择地去除，并在晶片 表面上形成所希望的图案。在半导体制造过程中会反复进行这种处理。 此外，不仅针对蒸镀的膜，为了生成沟槽(trench)，也可以对硅基板本 身进行蚀刻。薄膜可以包括光致抗蚀剂(photoresist)、氧化硅膜或氮化 硅膜等不同的薄膜。氧化膜或氮化膜与光致抗蚀剂相比会提供更良好的 蚀刻条件。下面，对一般的等离子体蚀刻装置进行说明。将处理气体提供到室 内， 一旦在两个电极之间形成电场，则一部分气体原子被离子化，生成 阳离子和自由电子，形成等离子体。在等离子体蚀刻装置中，由以 13.56MHz动作的高频发生器提供能量。等离子体蚀刻的两个主要素是自由基和离子。自由基具有不饱和键， 为电中性。因此，自由基因不饱和键而具有非常大的反应性能，与晶片 上的物质主要通过化学的作用发生反应。但离子带有电荷，并因电位差 向一定的方向加速，它与晶片上的物质主要通过物理的作用发生反应。另一方面，晶片被装在室内，放置在设置于室内的卡盘上。把晶片 的温度条件调节到适合处理的条件，如果温度条件满足就开始处理。不 过在以上所述的一般装置中存在一些问题。为了提高处理的精度，必须准确地调节处理条件，其中晶片的温度 条件非常重要。在晶片离开卡盘的状态下，提供给室内的气体分子具有 作为晶片和卡盘之间的温度传递介质的功能。因此，调节晶片的温度非 常困难，特别是在高真空状态下进行处理时，由于室内存在的气体分子非常少，这种问题就变得更严重。为了解决此问题，有时向晶片的后面喷射氦气，但在这种情况下要 求有另外固定晶片的装置。以往使用的是机械式夹具或静电卡盘，但机械式夹具不能使晶片均匀受力，存在产生微粒(particle)的缺点。此外 在使用静电卡盘的情况下，装置的结构变得复杂，生产费用增加，此外 在进行处理时，必须要有卡住或脱开的过程。
技术实现思路
鉴于所述的问题，本专利技术的目的在于提供一种可以容易地调节晶片 的温度条件的。本专利技术另一个目的在于提供可以确保晶片的温度均匀度的基板处理 方法。本专利技术其他的目的通过下述的详细说明和附图会更清楚。为达到所述的目的，本专利技术提供的包括以下步骤把 基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理 气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳 定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行处理；把 所述基板卸到所述处理室的外部。所述处理气体可以包括蚀刻气体或清洗气体。对所述基板进行处理的步骤可以包括以下步骤在所述处理室内形 成电场的状态下，向所述处理室内提供所述处理气体，生成等离子体， 并用生成的等离子体对所述基板进行处理。对所述基板进行处理的步骤还可以包括以下步骤对所述基板进行 加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。本专利技术还提供一种，其包括以下步骤把基板装在第 一室内；向所述第一室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所 述第一室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述 第一室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行第一处理；把所述基 板卸到所述第一室的外部，并装到第二室内；把所述第二室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述第二室内的压力减小 到处理压力，对所述基板进行第二处理；把所述基板卸到所述第二室的 外部。在所述第一室内对所述基板进行第一处理的步骤可以包括以下步 骤在所述第一室内形成电场的状态下，向所述第一室内提供所述处理 气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。在所述第二室内对所述基板进行第二处理的步骤还可以包括以下步 骤对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产 物。所述处理气体可以包括蚀刻气体或清洗气体。按照本专利技术，通过向室内提供气体，使室的内部压力和气体分子的 密度增加，利用气体分子可以容易地对晶片W进行温度调节。此外，可 以减小晶片W不同区域的温度偏差。特别是用净化气体或处理气体可以 容易地调节晶片W的温度。附图说明图1是简要表示包括本专利技术的处理组件(process module)的半导体 制造设备的图。图2是简要表示图1的第一处理组件的图。图3是简要表示图1的第二处理组件的图。图4是表示本专利技术的的流程图。图5是表示图2的第一处理室和图3的第二处理室内的压力变化曲 线图。图6是表示用图2的第一处理组件测量的晶片W的温度变化曲线图。 图7是表示用图3的第二处理组件测量的晶片W的温度变化曲线图。附图标记说明1半导体制造设备10a、 10b 处理组件120、220处理室140、240阳极160、260排气管170线圈180、280供气管具体实施方式下面参照图1 图7对本专利技术优选的实施方式进行详细说明。本发 明的实施方式可以变化成各种不同形式，本专利技术的范围不能解释为限定 于后面叙述的实施方式。本实施方式是为了向具有属于本专利技术
的普通技术知识的人更详细地说明本专利技术。因此，为了更明确的强调说 明，附图中所示的各要素的形状可以有些夸张。下面对作为基板的 一个例子的晶片W进行说明，但本专利技术的技术思 想和范围不限于此。此外，为了说明本专利技术，以下是以等离子体蚀刻装 置为例进行说明，但本专利技术可以应用于在把晶片放置于阳极上的状态下 进行处理的多种半导体制造装置。此外，下面是以电感耦合等离子体 (ICP)型的等离子体装置为例进行说明，但也可以应用于包括电子回旋 共振(ECR)型的各种各样的等离子体装置。图1是简要表示包括本专利技术的处理组件10a、 10b的半导体制造设备 1的图。参照图1，半导体制造设备1包括处理设备2、设备前端组件3和 边界壁(interface wall) 4。设备前端组件3安装在处理设备2的前方，把晶片W在容纳晶片W 的容器(图中没有表示)和处理设备2之间传送。设备前端组件3具有 多个装载入口 60和框架50。框架50位于装载入口 60和处理设备2之间。 利用高架传输装置、高架输送器、或自动引导车等传送装置(图中没有 表示)，把容纳晶片W的容器放置在装载入口 60上。作为容器可以使 用前面敞开的整体式罐那样的密闭容器。在框架50内，放置于装载入口 60的容器和处理设备2之间，设置有传送晶片W的框架机械手70。在 框架50内可以设置自动打开或关闭容器门的开启器(图中没有表示)。此外，可以对框架50提供叶片式过滤器单元，使净化空气从框架50内 的上部向下部流动，向框架50内提供净化空气(图中没有表示)。在处理设备2内对晶片W进行规定的处理。处理设备2包括加载互 锁室(loadlock chamber) 20、传输室30以及第一和第二处理组件10a、 10b。传输室30具有大体为多角形的断面。加载互锁室20或处理组件10a、 10b位于传输室30的侧面。加载互锁室20位于传输室30侧面部位中与 设备前端组件3相邻的侧面部位，处理组件10a、 10b位于其他的侧面部 位。加载互锁室20包括装料室20a，为了进行处理，使送入处理设备 2的晶片W临时待机；以及卸料室20b，使处理完成后从处理设备2取 出的晶片W临时待机。传输室30和处理组件10a、 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：把基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述 基板进行处理；把所述基板卸到所述处理室的外部。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-15 10-2007-00255521.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤把基板装到处理室内；向所述处理室提供用于对所述基板进行处理的处理气体，把所述处理室内的压力增加到既定压力，并使所述基板的温度稳定；把所述处理室内的压力减小到处理压力，对所述基板进行处理；把所述基板卸到所述处理室的外部。2. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理气 体包括蚀刻气体或清洗气体。3. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于，对所述基板 进行处理的步骤还包括以下步骤在所述处理室内形成电场的状态下，向所述处理室内提供所述处理 气体，生成等离子体，并用生成的等离子体对所述基板进行处理。4. 根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，对所述基板 进行处理的步骤还包括以下步骤对所述基板进行加热，去除在所述基板上部表面上形成的处理副产物。5. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于，所述既定压 力为2666.45Pa，所述处理压力为133.32Pa。6. —种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤 把基...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇佑，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]