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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。熔丝元件层叠在电阻体的上部，熔丝元件的利用激光切断的区域下的电阻体为凹形状，由此，提供小面积且不存在熔丝元件切断时对电阻体的损伤、各元件间所产生的接触电阻等也较小的稳定的半导体装置及其制造方法。...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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