本发明专利技术提供一种耐热性粘合片，其在加热时不会轻易发生变形。提供一种粘合片，将粘合剂层层叠于基材而得的粘合片，其特征在于，基材显示热收缩性，粘合剂层包含(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能异氰酸酯固化剂、光聚合引发剂，实质上不包含增粘树脂。此粘合片，在加温后也不会发生变形。另外，由于粘合剂实质上不包含增粘树脂，因此加温后的也不会发生粘合剂层的软化。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于检查半导体的耐热性粘合片以及使用该粘合片的半导体检查方法。
技术介绍
半导体晶片在形成闭合电路之后贴和粘合片，然后进行切割(dicing)成元件小片、清洗、干燥、粘合片的延展(扩展)、自粘合片进行元件小片的剥离(拾取)、安装等各个工序。理想的是对切割工序至干燥工序为止的被切割为元件小片具有充分的粘合力，并且在拾取工序中粘着力可减少至粘合剂不会残留的程度。作为粘合片，在对于紫外线及/或电子束等活性光具有透过性的基材上，涂布藉由紫外线等进行聚合固化反应的粘合剂层。关于此粘合片，于切割工序后用紫外线等照射粘合剂层，使粘合剂层发生聚合固化从而降低其粘合力后，拾取出被切断的芯片。作为此类粘合片，在专利文献1及专利文献2中公开了如下内容：在基材面涂布一种粘合剂而组成粘合片，该粘合剂含有例如由于活性光而可能导致三维网状化、分子内含有光聚合性不饱和双键的化合物(多功能低聚物)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-245989号公报专利文献2：日本特开2012-248640号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在半导体装置的制造工序中，按照以下顺序进行加工和性能检查。·半导体晶片的切割·性能检查(常温)·包装·性能检查(高温以及常温)上述工序中，在高温状态下出现异常的芯片，只能进行到包装后的性能检查步骤才可以判断出来。因此，对高温状态下出现异常的芯片也必须全部进行包装，因而包装成本将会增大。若将切割后的性能检查可在高温下进行，虽然可以降低包装成本，但性能检查是将半导体芯片贴合到切割胶带等粘合片的状态下进行，若对半导体芯片进行加温，会出现粘合片发生弯曲变形或过度密集等情况。若粘合片发生变形，半导体芯片的位置会偏离，在芯片上形成的电极焊盘和检查探针间无法自动对位，所以需要长时间进行检查。并且，变形严重的情况下，可能会发生芯片接触到检查探针而导致检查无法进行。另外，半导体芯片的间隙窄的情况下，可能会导致芯片之间发生接触，而引起芯片破损或强度降低。另外，如果粘合片在半导体芯片上过度密集，则即使照射紫外线等使粘合剂层固化，也不会充分降低粘合剂层的粘合力，这些也是导致拾取困难或胶粘残余等不良现象的原因。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，提供一种能够在加温状态下对半导体晶片进行检查的粘合片。用于解决问题的方案根据本专利技术，提供一种半导体检查用的耐热性粘合片，该粘合片在边加热半导体芯片边进行性能检查的工序中使用，其特征在于，此粘合片在基材上设有粘合剂层，此基材在120℃下加热15分钟时的热收缩率为1.0％～5.0％，且该粘合剂层包括100质量份(甲基)丙烯酸酯共聚物、5～200质量份光聚合性化合物、0.5～20质量份多官能异氰酸酯固化剂、0.1～20质量份光聚合引发剂和0～2质量份增粘树脂。本专利技术的专利技术人发现，通过将具有热收缩性的薄膜使用于粘合片，可以使加热后的粘合片具有张力从而能够抑制变形，另外，加温引起的粘合剂层的软化则起因于粘合剂中所含有的增粘树脂的软化。基于此认知，发现通过使用具有上述范围热收缩率的基材上设有上述组成的粘合剂层的粘合片，可以在将半导体晶片加热后的状态下进行检查，从而完成了本专利技术。以下举例说明本专利技术的各种实施方式。以下所示的实施方式可以相互组合。优选所述基材特征为双轴拉伸薄膜。优选所述粘合片的粘合剂层含有剥离赋予剂。优选所述剥离赋予剂由硅酮类接枝共聚物组成。优选相对于100质量份(甲基)丙烯酸酯共聚物的所述剥离赋予剂的添加量为1～20质量份。优选所述多官能异氰酸酯固化剂具有3个以上异氰酸酯基。优选所述光聚合引发剂以10℃/分钟的升温速度从23℃进行升温时，其质量减少率为10％时的温度为250℃以上。根据本专利技术的其他观点，提供一种半导体的检查方法包括：吸附工序，在半导体芯片粘贴于粘合片的状态下，吸附并固定于100～150℃的载物台上使所述粘合片以接触载物台的方式承载于所述载物台；检查工序，将载物台加热至100～150℃的同时检查所述半导体芯片的性能；活性光线照射工序，对所述粘合片照射活性光线；拾取工序，自所述粘合片拾取所述半导体芯片，所述粘合片为上述的粘合片。优选在所述吸附工序前，进一步具备将粘合片粘贴于半导体晶片的贴附工序和将所述半导体晶片切割成所述半导体芯片的切割工序。专利技术的效果根据本专利技术，提供一种在加热时不会轻易发生粘合片变形和粘合层软化的粘合片，能够在对半导体晶片加温的状态下进行检查。现有的在加温状态下的晶片检查是在半导体的包装工序之后进行，但是根据本专利技术，可以在包装工序前进行加温状态下的晶片检查。即，根据本专利技术，由于可以在包装工序前就能判断出加温状态下品质不良的芯片，因此可以不对不良芯片进行包装，因而降低包装成本。具体实施方式以下，说明本专利技术的优选实施方式。另外，以下说明的实施方式，表示本专利技术的代表性实施方式的一例，对本专利技术范围的解释并不会因此而狭窄。1.粘合片(1)基材(2)光固化型粘合剂(2-1)实质上不包括增粘树脂(2-2)(甲基)丙烯酸酯共聚物(2-3)光聚合性化合物(2-4)多官能异氰酸酯固化剂(2-5)光聚合引发剂2.半导体的检查方法(1)贴附工序(2)切割工序(3)吸附工序(4)检查工序(5)活性光照工序(6)拾取工序1.粘合片本专利技术的粘合片，通过在具有热收缩性的基材上层叠光固化型粘合剂层(以下也简单称为“粘合剂层”)而组成，以粘合剂层实质上不包括增粘树脂为特征。本专利技术的粘合片，即使在加温条件下也不发生变形。另外，本专利技术的粘合片几乎或者完全不会发生起因于增粘树脂软化的粘合剂层的软化，因此不会过度密集于半导体晶片。从而，本专利技术的粘合片能够防止因粘合片变形而导致的检查时间变长或半导体芯片的破损等。此外，可藉由紫外线等照射来充分降低粘合剂层的粘合力，且可以防止拾取不良或残胶。(1)基材作为基材的材料，于120℃加热15分钟后的热收缩率为1.0％～5.0％，优选1.5％～4.0％。若热收缩率小于1.0％，加温后基材的收缩小，由于基材的热膨胀等有可能导致粘合片变形。另外，若热收缩率大于5.0％，加热后基材的收缩过大，有可能导致粘合片从环形框架(RingFrame)上剥离，使基材断裂破损。这里，热收缩率为根据下式求得的数值。(L0-L1)/L0x100(％)L0：加热前的基材长度(10cm)L1：于120℃加热15分钟，冷却至室温后的基材长度另外，优选基材被双轴拉伸。通过双轴拉伸，加热时基材易于收缩。作为这种基材，例如有聚乙烯和聚丙烯等聚烯烃、聚苯乙烯、聚氯乙烯等。基材的形成方法没有特别限定，例如有从T型模具中延伸押出的树脂而形成薄片状的方法。另外，若在不损失性能的范围中，这种基材也可以含有氧化防止剂和抗静电剂、润滑剂、防阻塞剂、填料等添加剂。基材可以是由上述材料构成的单层或者多层的薄膜或者薄片，也可以是由不同材料构成的薄膜等层叠而形成。基材的厚度为10～100μm，优选20～80μm。优选对基材实施抗静电处理。作为抗静电处理，有向基材混合抗静电剂的处理，向基材表面涂布抗静电剂的处理，通过电晕放电进行的处理。作为抗静电剂，例如可以使用季铵盐单体等。作为季铵盐单体，例如有：(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯四级氯化物、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯四级氯化物、(甲基)丙烯酸本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体检查用的耐热性粘合片，其在边加热半导体芯片边进行性能检查的工序中使用，其特征在于，所述粘合片为在基材上设有粘合剂层的粘合片，所述基材在120℃下加热15分钟时的热收缩率为1.0％～5.0％，所述粘合剂层包含：100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物，5～200质量份的光聚合性化合物，0.5～20质量份的多官能异氰酸酯固化剂，0.1～20质量份的光聚合引发剂，和0～2质量份的增粘树脂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.12 JP 2014-0989441.一种半导体检查用的耐热性粘合片，其在边加热半导体芯片边进行性能检查的工序中使用，其特征在于，所述粘合片为在基材上设有粘合剂层的粘合片，所述基材在120℃下加热15分钟时的热收缩率为1.0％～5.0％，所述粘合剂层包含：100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物，5～200质量份的光聚合性化合物，0.5～20质量份的多官能异氰酸酯固化剂，0.1～20质量份的光聚合引发剂，和0～2质量份的增粘树脂。2.根据权利要求1所述的半导体检查用的耐热性粘合片，其特征在于，所述基材为双轴拉伸薄膜。3.根据权利要求1或2所述的半导体检查用的耐热性粘合片，所述粘合片的粘合剂层包含剥离赋予剂。4.根据权利要求3所述的半导体检查用的耐热性粘合片，所述剥离赋予剂由硅酮类接枝共聚物构成。5.根据权利要求3或4所述的半导体检查用的耐热性粘合片，所述剥离赋予剂的添加量相对于100质量份的(甲...
【专利技术属性】
技术研发人员：中岛刚介，九津见正信，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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