【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括陶瓷衬底的半导体器件，该陶乾衬底具有半 导体元件耦合到其上的第 一表面，和散热器耦合到其上的第二表面。
技术介绍
通常而言，模块化半导体器件是公知的。在这种半导体器件中， 金属层相应地设置于陶瓷衬底的正面和背面，例如，金属层由氮化铝 制成。半导体元件耦合(结合)到正面金属层，热沉(散热器)耦合(结合) 到背面金属层。热沉辐射由半导体元件产生的热量。半导体器件需要 长期维持热沉的散热性能。然而，依赖于使用条件，由于金属层与热 沉之间线性膨胀系数的不同而产生的热应力可能会在陶资衬底与背 面金属层间的接合部分出现破裂。进一步讲，膨胀时破裂可能导致剥 落，使散热性能退化。为克服上述缺点，日本公开特许公告第1 - 106451公开了 一项以 下说明的技术。如附图8A和8B所示，公告中所公开的半导体元件的 绝缘板90具有正面，正面上安装有半导体元件91;绝缘寺反90还具有 背面，背面形成金属化表面92。热沉96结合到金属化表面92。金属 化表面92具有直接位于特定部分下面的第一金属化部分92a,该特定 部分上面安装有半导体元件91,金属化表面92还具有...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：陶瓷衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；半导体元件，耦合到所述第一表面；散热器，耦合到所述第二表面；及插入部分，设置于所述第二表面和所述散热器之间，其特征在于，所述插入部分具有将所述第二表面耦合到所述散热器的多个耦合区域，和未将所述第二表面耦合到所述散热器的多个非耦合区域，各非耦合区域形成为细长凹槽，且其中，所述非耦合区域包括宽度方向上排列的至少一组平行非耦合区域，所述宽度方向垂直于所述非耦合区域的延伸方向，及其中，在所述组的非耦合区域中，所述插入部分中的最外部非耦合区域的宽度大于所述插入部分中的最内部非耦合区域的宽度，且其中，对于所述宽...
【技术特征摘要】
JP 2007-5-25 2007-1390281. 一种半导体器件，包括陶瓷衬底，具有第 一表面和与所述第 一表面相对的第二表面； 半导体元件，耦合到所述第一表面； 散热器，耦合到所述第二表面；及 插入部分，设置于所述第二表面和所述散热器之间， 其特征在于，所述插入部分具有将所述第二表面耦合到所述散热 器的多个耦合区域，和未将所述第二表面耦合到所述散热器的多个非 耦合区域，各非耦合区域形成为细长凹槽，且其中，所述非耦合区域 包括宽度方向上排列的至少一组平行非耦合区域，所述宽度方向垂直 于所述非耦合区域的延伸方向，及其中，在所述组的非耦合区域中，所述插入部分中的最外部非耦 合区域的宽度大于所述插入部分中的最内部非耦合区域的宽度，且其 中，对于所述宽度方向上所述非耦合区域的相邻对而言，4交外的非耦 合区域的宽度大于或等于较内的非耦合区域的宽度。2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述插入部 分包括结合到所述第二表面的金属层，和位于所述金属层与所述散热 器之间的应力松弛构件，所述应力松弛构件由具有高导热性的材料制 成，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：西槙介，渡边慎太郎，森昌吾，中川信太郎，铃山竹史，一柳茂治，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。