【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高温超导薄膜条形导体，特别是涉及所述条形导体的 金属基片。
技术介绍
在下文中称为HTSL-CC的高温超导薄膜条形导体(简称为涂覆导体) 根据现有技术由结构金属条制成。在下文中称为金属基片的条优选地包括 面心立方晶格的金属(例如镍、铜、金)。镍是特别合适，特别是含有数 个百分数的钨的镍，参见DE 101 43 680C1。织构金属基片用緩冲层涂覆， 该緩冲层用于将金属基片的结构传递到然后由已知的方式产生的超导层 上。对金属基片以及待结晶的高温超导薄膜都具有较小的晶格失配的材料 特别适于緩冲层。不仅使用了在金属基片上旋转45。地生长的材料，例如 锆酸锎以及其它具有氟化物或焦氯化物结构(Pyrochlorstruktur)的材料，而 且使用了不旋转地生长的并经常具有钾钛矿(型)结构(例如钛酸锶和钬酸 钙)或尖晶石结构例如钌酸锶以及镍酸钕的材料。由Effect of sulphur on cube texture formation in microalloyed nickel substrate tapes (J. Eickemeyer等)，Phy...
【技术保护点】
一种用于处理双轴织构金属基片的方法，该金属基片是高温超导薄膜条状导体（ＨＴＳＬ－ＣＣ）的起始材料，该导体包括金属基片、化学地产生在该金属基片上并相对于金属基片不旋转地结晶生长的缓冲层以及在该缓冲层上化学地产生的超导涂层，其特征在于，金属基片的超结构在产生缓冲层之前被除去。
【技术特征摘要】
DE 2007-5-24 102007024166.81. 一种用于处理双轴织构金属基片的方法，该金属基片是高温超导薄膜条状导体(HTSL-CC)的起始材料，该导体包括金属基片、化学地产 生在该金属基片上并相对于金属基片不旋转地结晶生长的緩沖层以及在该 緩冲层上化学地产生的超导涂层，其特征在于，金属基片的超结构在产生 緩冲层之前被除去。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硫属元素化物-超结构 被除去。3. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将所述金属基片 处理成表面粗糙度为RMS〈50nm，优选RMS<20nm ，特别优选 RMS<10nm。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述超 结构通过抛光除去。5. 根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，利用其 晶格常数与金属基片晶格常数的偏差小于± 15%、优选小于± 10%的材料 作为緩冲层。6. 根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在除去 超结构之后清洁金属基片。7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属基片在超声 波浴中清洁。8. 根据权利要求6或7所述...
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