【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体存储器，更具体地说，本专利技术涉及掩膜只读存储器。通常使用在金属刻馈后将数据编程的方法，以降低掩膜只读存储器(以下称为掩膜ROM)的周转时间(TurnAroundTime，TAT)。附图说明图1是一布局图，说明常规NAND(与非)型掩膜ROM，其中有多个MOS晶体管串联连接。扩散区3与另一扩散区由一从场氧化层制得的隔离区1相隔开，这两扩散区在第一方向上互相平行，隔离区1则在第一方向上延伸。多晶硅层的字线5沿一与第一方向成直角的第二方向延伸，并平行于另一字线。金属层的位线11和13在隔离区1和与它相邻的隔离区3的上方沿第一方向延伸，并通过第一和第二接触区7和9与字线5相接触。字线5和与之相邻的扩散区3组成一编程区15，编程区15的杂质是在给定数据编入掩膜ROM时注入的。在这种情况下，将数据编程时，不论它是在组成字线的多晶硅层形成之前，或是在高浓度的n型(或p型)扩散区形成之后，都可以将所需数据编程。然而，在通过一光刻工序刻制金属层以形成位线之后编程数据的情况下，杂质可能不能通过与位线重叠的区域和该扩散区。因此，所需数据不能编入一编程区。因此，本专利技术的一个目的是要提供一种掩膜ROM，这种掩膜ROM即使形成位线后也能编程数据。根据本专利技术的一个设计方案，位线只形成在扩散区之间的隔离区上。为了更全面地理解本专利技术，应连同附图阅读下面的详细说明，附图中图1是常用的掩膜ROM的布局草图;及图2是体现本专利技术的一例掩膜ROM的布局草图。现参看图2，一扩散区23与另一扩散区23平行且在第一方向上延伸，并由一用场氧化层形成的隔离区21与另...
【技术保护点】
一种在半导体存储器中的掩膜只读存储器有：一给定导电类型的扩散区在第一方向上延伸并以隔离区与另一扩散区隔开；一字线在和第一方向垂直的第二方向上延伸，且和另一字线平行；一位线沿第一方向在一区域里延伸，该区域在字线布线上方形成并对应于扩散区之间的隔离区，该位线通过给定的接触区和字线接触。因位线和扩散区隔开一给定间隔，故周转时间（ＴＡＴ）可以大大降低。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1991-9-4 15427/911.一种掩膜只读存储器，其特征在于，它包括一给定导电类型的扩散区，该扩散区在第一方向延伸，并以一隔离区与另一扩散区隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵星熙，李炯坤，崔正达，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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