非易失性半导体存储器制造技术

一种非易失性半导体存储器，包括：　　　　存储单元阵列，由包含存储单元（ＭＣ）的存储单元组构成；　　　　位线（１０ｂ、ＢＬ），被连接在上述存储单元组上；　　　　读出放大器（１３、Ｓ／Ａ），被连接在上述位线上具有闩锁功能；　　　　控制电路（１７），当对连接在所选控制栅线上的１页份的存储单元ｓ中的所选存储单元ｓ进行数据的变更的情况下，将上述１页份的存储单元ｓ的数据读出到上述读出放大器中，在上述读出放大器中对在上述１页份的数据中与上述所选选择单元ｓ对应的数据进行数据改写，消除上述１页份的存储单元ｓ的数据，将上述读出放大器的数据编程在１页份的存储单元ｓ中。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以以字节单位进行变更存储单元数据的动作的非易失性半导体存储器。
技术介绍
以往，作为可以以字节单位进行存储单元的数据变更的非易失性半导体存储器已知有EEPROM。文献1(W.Johnson et al.，“A 16Kb Electrically ErasableNonvolatile Memory，”ISSCC Digest of TechnicalPapers，pp.152-153，Feb.1982.)提出使用FLOTOX(Floating GateTunnel Oxide)单元，以字节单位进行存储单元的数据变更的EEPROM。图65，是展示可以进行消除字节的EEPROM的存储单元部分的一例的平面图，图66是沿图65的LXVI-LXVI线的断面图。该EEPROM，在存储单元部分上使用了FLOTOX单元。FLOTOX单元的特征在于在N+漏极20a和浮动栅21a之间配置10[nm]左右的 隧道氧化膜22a，通过在该隧道氧化膜22a上施加电场在N+漏极20a和浮动栅21a之间进行电荷的交换。流入隧道氧化膜22a的电流，是由FN(Fowler-Nordheim)隧道现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性半导体存储器，包括存储单元阵列，由包含存储单元(MC)的存储单元组构成；位线(10b、BL)，被连接在上述存储单元组上；读出放大器(13、S/A)，被连接在上述位线上具有闩锁功能；控制电路(17)，当对连接在所选控制栅线上的1页份的存储单元s中的所选存储单元s进行数据的变更的情况下，将上述1页份的存储单元s的数据读出到上述读出放大器中，在上述读出放大器中对在上述1页份的数据中与上述所选选择单元s对应的数据进行数据改写，消除上述1页份的存储单元s的数据，将上述读出放大器的数据编程在1页份的存储单元s中。2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其特征在于上述存储单元组，是由1个存储单元和夹着其的2个选择晶体管构成的存储单元组、串联连接多个存储单元的NAND单元、并联连接多个存储单元的AND单元、以及并联连接多个存储单元的DINOR单元中的1个。3.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其特征在于与...

【专利技术属性】
技术研发人员：作井康司，宫本顺一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：