存储器编程用的行译码器电路制造技术

本发明专利技术涉及一种存储器编程用的行译码器电路（１４）。该行译码器电路包括，选择一待编程存储单元的字线的一选择装置（１３）；一待编程存储单元的一字线；和为了对在字线（１７）上的一所选存储单元的栅极提供编程电压或读取或核实电压，而在提供编程电压（Ｖ↓［ＰＲＯＧＲＡＭ］）的第一电源线路（１８）以及提供读取或核实电压（Ｖ↓［ＶＥＲＩＦＹ］）的第二电源线路（１６）之间，作转换（１５，１９）的一字线驱动电路（１００）。这个在编程电压与及读取或核实电压之间的转换，提供所选存储单元所需的编程脉冲之用。本发明专利技术可以用更短周期的脉冲，因而提高了所述存储单元的整体编程速度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体存储器，更具体地说涉及一种存储器编程用的行译码器电路。
技术介绍
在一般每一存储单元的容量为一比特的存储装置中，该存储单元可处于两种信息存储状态之一，即一接通状态或一断开状态。这一接通状态或一断开状态的组合定为一比特的信息。在两级的存储器中，由于该存储单元只有两个不同的临界电压值，Vt，因此在读取操作期间，只需检测是否编址晶体管处于导通状态。一般的做法是，使流过存储晶体管的电流与流过参考晶体管的电流比较，两者均加以预定的漏极对源极和栅极对源极偏压，直接以通过电流方式检测或者经电流对电压转换后，以电压方式检测。在一个典型的闪存储单元编程中，该单元的控制栅极被施加一高电压(例如，大约3-12伏特)，其源极端接地，而漏极端连接到大约5伏特的电压。这种编程操作可以在一阵列中实现，即选择性地把脉冲施加于连接到控制栅极的字线路，再对连接到漏极的比特线路加偏压。这在先有技术中通常称之闪存单元编程的热电子注入法。热电子注入用于使电荷移入该浮动栅极，因此改变了该晶体管浮动栅极的临界电压。由于高压施加于控制栅极，因此造成电子在通道流动，而浮动栅极上注入了一些热电子并使浮动栅极的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
在一设有多存储单元的存储器阵列中，所述每一存储单元有多存储状态，并在一种所述的存储状态下可通过至少一施加于与一所选存储单元的栅极作电耦合的一字线的脉冲进行编程，以及所述的存储单元的存储状态由至少一施加于所述的字线的读取或核实脉冲核实，一行译码器电路包括：一与所选存储单元作电耦合的字线的选择装置；以及一字线驱动电路，其接受第一电源线路上的一编程电压及第二电源线路上的一读取或核实电压；所述字线驱动电路还包括一在编程电压和读取或核实电压之间设置的转换装置，以把至少一 编程脉冲和至少一读取或核实脉冲供给所述的字线，由此，可对所选存储单元进行编程。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-6-18 10/174,6321.在一设有多存储单元的存储器阵列中，所述每一存储单元有多存储状态，并在一种所述的存储状态下可通过至少一施加于与一所选存储单元的栅极作电耦合的一字线的脉冲进行编程，以及所述的存储单元的存储状态由至少一施加于所述的字线的读取或核实脉冲核实，一行译码器电路包括一与所选存储单元作电耦合的字线的选择装置；以及一字线驱动电路，其接受第一电源线路上的一编程电压及第二电源线路上的一读取或核实电压；所述字线驱动电路还包括一在编程电压和读取或核实电压之间设置的转换装置，以把至少一编程脉冲和至少一读取或核实脉冲供给所述的字线，由此，可对所选存储单元进行编程。2.根据权利要求1所述的行译码器电路，其特征在于所述的转换装置包括一双控制信号，每一控制信号彼此处在相反的逻辑状态，所述一双控制信号的第一控制信号在第一逆变器的输入端被接收，所述第一逆变器的输出端与第一导通晶体管的栅极连接，所述第一导通晶体管的漏极与第一电源线路连接而其源极连接到字线；所述一双控制信号的第二控制信号在第二逆变器的输入端被接收，所述第二逆变器的输出端与第二导通晶体管的栅极连接，所述第二导通晶体管的漏极与第二电源线路连接而其源极连接到字线。3.根据权利要求1所述的行译码器电路，其特征在于所述的电路还包括一在字线的不被选状态时，将一偏压施加于字线之上的装置。4.根据权利要求3所述的行译码器电路，其特征在于所述在字线的不被选状态时，将一偏压施加于字线之上的装置包括一第一偏压晶体管，在编程、或读取或核实操作期间，其接受在栅极端的第一补全选择信号及把所述偏压施加于不被选的行的字线上；一第二偏压晶体管，在擦除操作期间，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：DI马尼，
申请(专利权)人：爱特梅尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]