【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及非易失性存储器装置，尤其涉及一种改进的读出放大器，及操作该读出放大器以高精确度地读出存储在多态存储器单元中的数据的方法。
技术介绍
非易失性存储器，如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)或闪存，被广泛应用于便携式装置中，该装置包括缺少大容量数据存储元件和一固定电源的装置，如蜂窝电话、手持个人计算机(PC)、便携式音乐播放器和数码相机。非易失性存储器一般是具有大量存储器单元的半导体，每一单元带有一个电场效应晶体管(FET)，电场效应晶体管具有一个控制栅和一分离或浮动栅，分离或浮动栅与FET的源极和漏极电分离。非易失性存储器通过在浮动栅上注入电荷改变FET的阈值电压来编程或存储数据。该注入的电荷按照电荷数量的比例从固有的阈值电压改变FET的阈值电压。FET的新的阈值电压表示已编程数据或信息的一位或多位。例如，在一简单(simple)存储器中存储单独一位数据，FET的阈值电压或者升高到该阈值电压范围的高端或者保持在低端的值上。这两个编程阈值电压表示逻辑1或者逻辑0。这些电压分别将存储器单元编程为开或者关，因此当读的条件建立时，能进行读操作以确定...
【技术保护点】
一种操作读出放大器以读出存储在存储器单元中的数据的方法，该方法包括步骤：用预先充电电路将存储器单元的一条位线充电到基本等于读出放大器的合闸点的预定参考电压；形成一个表示存储在存储器单元中的数据的电压信号；将预先充电电 路重新配置为再生电路；用再生电路放大该电压信号。
【技术特征摘要】
US 2001-11-20 09/989,9961.一种操作读出放大器以读出存储在存储器单元中的数据的方法，该方法包括步骤用预先充电电路将存储器单元的一条位线充电到基本等于读出放大器的合闸点的预定参考电压；形成一个表示存储在存储器单元中的数据的电压信号；将预先充电电路重新配置为再生电路；用再生电路放大该电压信号。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤预先充电连接到该存储器单元的位线的共射共基器件的一个节点。3.一种读具有电场效应晶体管(FET)的多态存储器单元的读出放大器，该电场效应晶体管有一个源极、一个漏极和一条位线，该读出放大器包括一个连接到存储器单元的FET的漏极的共射共基器件，该共射共基器件适于在读出模式期间增加读出放大器的分辨率，并在写模式期间将读出放大器从加到存储器单元上的高电压上分离开；和一个连接到共射共基器件的预先充电电路，该预先充电电路被配置成在预先充电模式期间通过共射共基器件预先充电存储器单元的位线，以减少读多态存储器单元所需的时间。4.根据权利要求3所述的读出放大器，其中共射共基器件是串联在预先充电电路和存储器单元中的FET的漏极之间。5.根据权利要求3所述的读出放大器，其中预先充电电路包括一个具有一个输入端和一个输出端的单位增益缓冲器，在该输入端提供余一个预定的参考电压，在该输出端提供一个偏置电压，以通过将共射共基器件的一个节点充电到一个预定的参考电压来预先充电位线。6.根据权利要求5所述的读出放大器，其中预先充电电路进一步包括一个晶体管开关，该晶体管开关在预先充电模式期间将单位增益缓冲器连接到共射共基器件，而在形成模式期间断开单位增益缓冲器与共射共基器件的连接。7.根据权利要求6所述的读出放大器，包括一个提供参考电流IREF的参考电流电路，其中在形成模式下，IREF和流过存储器单元的电流(ICELL)之间的差值引起从预定参考电压开始的变化，以充电共射共基器件的节点，形成了一个表示存储在存储器单元中的数据的电压信号。8.根据权利要求7所述的读出放大器，其中在再生模式下将预先充电电路重新配置为再生电路，以放大在形成模式期间形成的电压信号。9.一种包括根据权利要求3所述的读出放大器的多态存储器阵列，该多态存储器还包括其中能存储数据的多个多态存储器单元；及加到多态存储器单元上的用于写数据的高电压的电压源。10.在一个具有至少一个能在其中存储数据的多态存储器单元和一个能读取存储在存储器单元中的数据的读出放大器的存储器中，该读出放大器具有一个连接到存储器单元的共射共基器件和一个用于通过共射共基器件预先充电存储器单元的一个位线的预先充电电路，一种操作该存储器以读出存储在多态存储器单元中的数据的方法，该方法包括步骤将预先充电电路连接到共射共基器件；通过共射共基器件将存储器单元的位线预先充电到一个预定的参考电压；从共射共基器件断开预先充电电路的连接；形成一个表示存储在存储器单元中的数据的电压信号；将预先充电...
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