多位虚假接地与非存储装置制造方法及图纸

电荷俘获多位存储单元阵列被布置在虚假接地ＮＡＮＤ体系结构中。通过进入存储层的电子的Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道效应可擦除存储单元。通过热空穴注入可实施写操作。通过位线把写电压施加到两个串联的ＮＡＮＤ链。在将要被编程的存储单元一侧上的随后的位线维持在浮动电位上，而在另一侧上的位线被设置成抑制电压，它是用来抑制不被编程的编址存储单元的编程干扰的。这个电荷俘获存储单元的虚假接地ＮＡＮＤ体系结构使得增加的存储密度成为可能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含多位电荷俘获存储单元的虚假接地NAND(与非)存储装置。
技术介绍
包含为电荷俘获而设置以此为存储单元编程的电介质材料的存储层序列的电荷俘获存储装置、特别是包含氧化物-氮化物-氧化物层序列作为存储介质的SONOS存储单元通常由沟道热电子注入进行编程。可构造电荷俘获存储单元以使在每个存储单元中能存储两位信息。通过引用结合于此的美国专利No.5,768,192和美国专利No.6,011,725公开了所谓NROM单元的专用类型的电荷俘获存储单元，它能被用来在对应栅极边缘下面的源极和漏极处存储信息位。按反转模式读取已编程的单元以取得足够的两位分离。由热空穴注入执行擦除。另外，在美国的专利申请公布No.2003/0080372 A1、2003/0148582 A1和2003/0161192 A1以及美国专利No.6,324,099 B1中公开了多位电荷俘获存储装置，通过引用将其中的每一个结合于此。通过引用结合于此的美国专利申请公布No.2003/0185055 A1和C.C.Yeh等人相应的论文“PHINESA Novel Low Power Program/Erase，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多位虚假接地ＮＡＮＤ存储装置，包含：按行和列布置的存储单元阵列，所述行被细分成多组所述行；每一个所述存储单元具有栅极连接、两个相对的源极／漏极连接以及两个分离的存储位置，其中一个所述存储位置位于其中一个所述源极／漏极连接 的附近并且所述存储装置的另一个位于所述源极／漏极连接的相对那一个的附近；所述列的所述存储单元由所述源极／漏极连接串联耦合；所述源极／漏极连接的选择由所述多组行的两个相邻组的存储单元所共有的源极／漏极连接形成；多个位线 沿着所述列以彼此间隔一定距离平行布置；沿着每个所述列，所述选择的所述源极／漏极连...

【技术特征摘要】
US 2005-4-29 11/1193761.一种多位虚假接地NAND存储装置，包含按行和列布置的存储单元阵列，所述行被细分成多组所述行；每一个所述存储单元具有栅极连接、两个相对的源极/漏极连接以及两个分离的存储位置，其中一个所述存储位置位于其中一个所述源极/漏极连接的附近并且所述存储位置的另一个位于所述源极/漏极连接的相对那一个的附近；所述列的所述存储单元由所述源极/漏极连接串联耦合；所述源极/漏极连接的选择由所述多组行的两个相邻组的存储单元所共有的源极/漏极连接形成；多个位线沿着所述列以彼此间隔一定距离平行布置；沿着每个所述列，所述选择的所述源极/漏极连接交替地耦合到其中一个所述位线并且耦合到所述位线的邻近一个位线上，因而在所述选择的所述源极/漏极连接的随后的连接之间形成相同列和相同组的行的存储单元的NAND链；以及所述字线中的每一个耦合所述行中的一行的所述存储单元的所述栅极连接。2.如权利要求1所述的多位虚假接地NAND存储装置，其中每个位线耦合到属于两行和两列的所述存储单元中的四个相邻单元所共有的源极/漏极连接。3.如权利要求1所述的多位虚假接地NAND存储装置，还包含锯齿方式的有效面积；存储单元的所述列被布置在所述有效面积中；以及每个位线交替地耦合到两个邻近列中的一列的存储单元的源极/漏极连接。4.如权利要求1所述的多位虚假接地NAND存储装置，其中按锯齿方式沿所述列布置所述位线；以及每个位线交替地耦合到两个邻近列中的一列的存储单元的源极/漏极连接。5.如权利要求1所述的多位虚假接地NAND存储装置，其中所述多组行中的每一组包含相同数量的行。6.如权利要求1所述的多位虚假接地NAND存储装置，还包含为在读、写和擦除操作中把电压施加到存储单元的栅极连接和源极/漏极连接而设置的电子电路；其中所述电子电路被配置成可把写电压施加到所述位线中的任一个以及把抑制电压施加到邻近的位线，所述抑制电压适合于抑制在属于连接到所述邻近位线的NAND链的存储单元处的写操作。7.如权利要求6所述的多位虚假接地NAND存储装置，还包含作为每个位线中的开关而被提供的选择晶体管；两个全局位线；以及每隔一个位线借助所述选择晶体管接连地连接到所述全局位线中的第一个，并且另外的位线借助所述选择晶体管连接到所述全局位线中的第二个。8.一种多位虚假接地NAND存储装置，包含按行和列布置的存储单元阵列；所述行被细分成多组所述行；每一个所述存储单元具有栅极连接、两个相对的源极/漏极连接以及两个分离的存储位置，其中一个所述存储位置位于其中一个所述源极/漏极连接的附近，并且所述存储位置中的另一个位于所述源极/漏极连接的相对那一个的附近；所述列的所述存储单元由所述源极/漏极连接串联耦合；所述源极/漏极连接的选择由所述多组行的两个相邻组的存储单元所共有的源极/漏极连接形成；以与所述列呈一定角度、以彼此间隔一定距离平行布置的多个位线；沿着每个所述列，所述选择的所述源极/漏极连接顺序地耦合到所述位线中的随后的位线，因而在所述选择的所述源极/漏极连接的随后的连接之间形成相同列和相同组的行的存储单元的NAND链；以及所述字线中的每一个连接所述行中的一行的所述存储单元的所述栅极连接。9.如权利要求8所述的多位虚假接地NAND存储装置，其中所述多组行中的每一组包含相同数量的行。10.如权利要求8所述的多位虚假接地NAND存储装置，还包含为在读、写和擦除操作中把电压施加到存储单元的栅极连接和源极/漏极连接而设置的电子电路；其中所述电子电路被配置成可把写电压施加到所述位线中的任一个以及把抑制电压施加到邻近的位线，所述抑制...

【专利技术属性】
技术研发人员：C廖，J维勒，T米科拉吉克，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]