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电荷俘获多位存储单元阵列被布置在虚假接地ＮＡＮＤ体系结构中。通过进入存储层的电子的Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道效应可擦除存储单元。通过热空穴注入可实施写操作。通过位线把写电压施加到两个串联的ＮＡＮＤ链。在将要被编程的存储单元一侧上的随...
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