【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及移位寄存器,其每一个移位寄存器包括作为单元电路的时钟控制反相器。
技术介绍
近年来,由于对便携式设备的要求的增长,诸如液晶显示器件或发光器件之类的显示器件已被积极研究。特别是,使用晶体管的像素和驱动电路(下文称为内电路)由绝缘体上多晶半导体形成的集成技术已被积极研究,因为该技术非常有利于微型化和低功耗。形成在绝缘体上方的内电路通过FPC等连接到控制器IC(下文称为外电路)等,并且该操作是可控的。内电路的电源电势通常为大约10V,而构成外电路的IC准备了具有约3V幅度的信号,因为与内电路相比该IC在更低的电源电势下工作。存在移位寄存器,其中电平移位部分设置在每一级中以便使用这种具有约3V幅度的信号正确地操作内电路(例如,参考1日本专利公开物No.2000-339985公报(pp.3-6))。在如图9A和9B所示的常规寄存器的时钟控制反相器中,在具有比高电势电源(VDD)和低电势电源(VSS)之间的电势差小的幅度的信号输入到n沟道晶体管(其源极连接到VSS)的栅极以及p沟道晶体管(其源极连接到VDD)的栅极的情况下,当n沟道晶体管导通时,需要关断的p ...
【技术保护点】
一种移位寄存器,包括:在m个级(m是任意整数,m≥2)的寄存器,每一个寄存器包括第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器;其中在第(2n-1)级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的寄存器的第一输出、在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的寄存器的第二输出、在第(2n-1)级的第一时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中第一输出和第二输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中在第2n级(n是任意整数,m≥2 ...
【技术特征摘要】
JP 2005-4-19 2005-1217561.一种移位寄存器,包括在m个级(m是任意整数,m≥2)的寄存器,每一个寄存器包括第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器;其中在第(2n-1)级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的寄存器的第一输出、在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的寄存器的第二输出、在第(2n-1)级的第一时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中第一输出和第二输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中在第2n级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-1)级的寄存器的第三输出、在第2n级的第二时钟控制反相器的输出、以及第二时钟信号来工作;其中在第2n级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-1)级的寄存器的第四输出、在第2n级的第一时钟控制反相器的输出、以及第二时钟信号来工作;其中第三输出和第四输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中第二时钟信号是第一时钟信号的反相信号。2.根据权利要求1的移位寄存器,其中第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器是使用多个薄膜晶体管形成的。3.根据权利要求1的移位寄存器,其中第一和第二时钟控制反相器的每一个都包括三个p沟道晶体管和三个n沟道晶体管。4.根据权利要求1的移位寄存器,其中第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器的每一个都包括模拟开关。5.一种具有根据权利要求1的移位寄存器的显示器件。6.一种具有根据权利要求5的显示器件的电子设备。7.一种移位寄存器,包括在m个级(m是任意整数,m≥2)的寄存器,每一个寄存器包括第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器;其中在第(2n-1)级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的第一输出、在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的第二输出、在第(2n-1)级的第一时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中第一输出和第二输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中在第2n级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器的第三输出、在第2n级的第二时钟控制反相器的输出、以及第二时钟信号来工作;其中在第2n级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-1)级的第一时钟控制反相器的第四输出、在第2n级的第一时钟控制反相器的输出、以及第二时钟信号来工作;其中第三输出和第四输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中第二时钟信号是第一时钟信号的反相信号;以及其中第一时钟信号和第二时钟信号的电势都小于高电势电源和低电势电源之间的电势差。8.根据权利要求7的移位寄存器,其中第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器是使用多个薄膜晶体管形成的。9.根据权利要求7的移位寄存器,其中第一和第二时钟控制反相器的每一个都包括三个p沟道晶体管和三个n沟道晶体管。10.根据权利要求7的移位寄存器,其中第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器的每一个都包括模拟开关。11.一种具有根据权利要求7的移位寄存器的显示器件。12.一种具有根据权利要求11的显示器件的电子设备。13.一种移位寄存器,包括在m个级(m是任意整数,m≥2)的寄存器,每一个的寄存器包括第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器;其中在第(2n-1)级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的第二时钟控制反相器的第一输出、在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-2)级的第一时钟控制反相器的第二输出、在第(2n-1)级的第一时钟控制反相器的输出、以及第一时钟信号来工作;其中第一输出和第二输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中在第2n级(n是任意整数,m≥2n≥2)的第一时钟控制反相器根据在第(2n-1)级的第二时钟控制反相器的第三输出、在第2n级的第二时钟控制反相器的输出、以及第二时钟信号来工作;其中在第2n级的第二时钟控制反相器根据在第(2n-1)级的第一时钟控制反相器的第四输出、在第2n级的第一时钟控制反相器的输出、以及第二时钟信号来工作;其中第三输出和第四输出的其中一个等于高电势电源的电势,并且另一个等于低电势电源的电势;其中第二时钟信号是第一时钟信号的反相信号;以及其中第一时钟信号和第二时钟信号的电势都小于高电势电源和低电势电源之间的电势差。14.根据权利要求13的移位寄存器,其中第一时钟控制反相器和第二时钟控制反相器是使用多个薄膜晶体管形成的。15.根据权利要求13的移位寄存器,其中第一和第二时钟控制反相器的每一个都包括三个p沟道晶体管和三个n沟道晶体管。16.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:纳光明,安西彩,佐藤瑞季,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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