移位寄存器电路及具备它的图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种移位寄存器电路，其目的是为了提高移位寄存器电路的驱动能力。该移位寄存器电路在输出级包括：输出端子ＯＵＴ和第１时钟端子Ａ之间的晶体管Ｑ１；以及输出端子ＯＵＴ和第１电源端子ｓ１之间的晶体管Ｑ２。晶体管Ｑ６、Ｑ７构成反相器，将晶体管Ｑ２的栅极的电平进行反转，输出到就晶体管Ｑ１的栅极。在晶体管Ｑ１的栅极和晶体管Ｑ７的栅极之间设置有由晶体管Ｑ８、Ｑ９构成的隔离电路。晶体管Ｑ８为二极管连接，当晶体管Ｑ１的栅极与晶体管Ｑ７的栅极相比变为高电位时，两者之间被电隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移位寄存器电路，具体地说，涉及例如图像显示装置的扫描线驱动电路等中使用的仅由同一导电型的场效应晶体管构成的移位寄存器电路。
技术介绍
液晶显示装置等的图像显示装置(以下称为「显示装置」)中，对多个像素矩阵状排列的显示面板的像素行(像素线)逐行设置栅极线(扫描线)，通过在显示信号的1水平周期以一个循环的周期依次选择驱动该栅极线，进行显示图像的更新。这样，用于依次选择并驱动像素线即栅极线的栅极线驱动电路(扫描线驱动电路)可采用在显示信号的1帧周期进行一个循环的移位动作的移位寄存器。 栅极线驱动电路使用的移位寄存器为了减少显示装置的制造过程中的工序数，希望仅仅采用同一导电型的场效应晶体管构成。因而，提出了各种仅仅由N型或P型场效应晶体管构成的移位寄存器及搭载它的显示装置(例如专利文献1～2)。场效果晶体管采用MOS(Metal Oxide Semiconductor)晶体管或薄膜晶体管(TFTThinFilm Transistor)等。 特开2004-246358号公报[专利文献2]特开2004-103226号公报例如，专利文献1的图7中具有代表性的移位寄存器电路在其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器电路，其特征在于，包括：将输入到时钟端子的时钟信号供给输出端子的第１晶体管；以及将上述输出端子进行放电的第２晶体管，将连接上述第１晶体管的控制电极的节点作为第１节点，将连接上述第２晶体管 的控制电极的节点作为第２节点，该控制电极还包含至少一个经由预定的隔离电路而与上述第１节点连接的第３晶体管，将连接上述第３晶体管的控制电极的节点作为第３节点，当上述第１节点的电位的绝对值变得比上述第３节点的电位的绝对值 大时，上述隔离电路对上述第３节点和上述第１节点之间进行电...

【技术特征摘要】
JP 2005-12-28 2005-3775401.一种移位寄存器电路，其特征在于，包括将输入到时钟端子的时钟信号供给输出端子的第1晶体管；以及将上述输出端子进行放电的第2晶体管，将连接上述第1晶体管的控制电极的节点作为第1节点，将连接上述第2晶体管的控制电极的节点作为第2节点，该控制电极还包含至少一个经由预定的隔离电路而与上述第1节点连接的第3晶体管，将连接上述第3晶体管的控制电极的节点作为第3节点，当上述第1节点的电位的绝对值变得比上述第3节点的电位的绝对值大时，上述隔离电路对上述第3节点和上述第1节点之间进行电隔离。2.权利要求1所述的移位寄存器电路，其特征在于，上述至少一个第3晶体管包括在上述第2节点和电源端子之间连接的晶体管。3.权利要求1所述的移位寄存器电路，其特征在于，上述隔离电路包括在上述第1节点充电时对上述第3节点充电的充电元件；以及容许从第3节点到第1节点方向的充电，阻止从第1节点到第3节点方向的充电的单方向的开关元件。4.权利要求1所述的移位寄存器电路，其特征在于，连接上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞田洋一，村井博之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]