具有冗余读出放大器的存储器制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了可减小读取弱数据存储单元时的误读可能性的存储器的实施例。该存储器可包括多个数据存储单元、列复用器、第一读出放大器和第二读出放大器，以及输出电路。第一读出放大器的增益电平可高于第二读出放大器的增益电平。输出电路可包括复用器，该复用器可用于可控地选择第一读出放大器和第二读出放大器的输出之一并传递所选择的读出放大器的值。输出电路可包括耦合第一读出放大器和第二读出放大器的输出的节点，并且第一读出放大器和第二读出放大器的输出能够被设置为高阻抗状态。【专利说明】具有冗余读出放大器的存储器
本专利技术涉及存储器实现领域，更具体地涉及感测技术。
技术介绍
存储器通常包括多个数据存储单元，所述数据存储单元由构造在半导体基板上的 互连晶体管构成。可以根据多种不同的电路设计类型来构建此类数据存储单元。例如，可 将数据存储单元实现为耦合到电容器的单个晶体管以形成动态存储单元。作为另外一种选 择，可采用交叉耦合反相器来形成静态存储单元，或者可使用浮栅M0SFET来创建非易失性 存储单兀。 在半导体制造过程期间，光刻、晶体管掺杂物水...
【技术保护点】
一种装置，包括：多个数据存储单元；以及多个读取电路；其中每个所述读取电路包括：具有第一增益电平的第一读出放大器，所述第一读出放大器被配置为从所述多个数据存储单元中所选择的一个数据存储单元接收输入数据；以及具有第二增益电平的第二读出放大器，其中所述第二增益电平大于所述第一增益电平，所述第二读出放大器被配置为从所述多个数据存储单元中所选择的一个数据存储单元接收输入数据；以及输出电路，所述输出电路被配置为接收所述第一读出放大器的输出和所述第二读出放大器的输出，并对它们进行逻辑组合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·R·赛宁根，M·E·鲁纳斯，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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