【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于一种动态存储器存储单元更新率之评估及控制之电路及方法。
技术介绍
在以DRAMs形式的积体动态存储器中,一般称的更新操作在存储单元未被外部地存取的操作期间为必要的,以更新存储单元内容,其会因该储存电容或选择晶体管的漏电流而挥发,及因而永远地保留该存储单元内容。在更新操作期间,由所选择存储单元的经评估及经放大信息信号被直接写回至该相关存储单元。此一般由控制器电路控制,其额外定义更新频率,使用此该存储单元内容的个别更新被作动。存在数种更新该存储单元内容的可能性。首先,在进行读取或写入操作的存储器正常操作期间,尽可能与存储器字线的激活及与该字线的后续关闭一样早,自该相关存储单元读取的信息在感应放大器被评估及放大,该经评估及经放大信息信号被写回至该存储单元及以此方式(一般称为激活-预充电循环)被更新。而且,存储控制器传送一般称的自动更新指令至该存储器,其在每一情况起始激活一列的指令顺序以进行更新。做为实例,一般称的更新计数器定义哪一列要进行更新,该更新计数器连续地定地址动态存储器的列,例如以它们的地址之循序顺序。此种更新方法在所有存储器的存储器组并联作动,其中在每一存储器组在每一情况列被同时激活及再次关闭。若一个存储器组具如4096个列,驱动该存储器的存储控制器每64毫秒/4096(信息留置时间为64毫秒)传送自动更新指令至该存储器。为进行信息留置的目的,该存储器可进入一般称的自动更新模式,其中更新计数器周期地内部起始一指令顺序以激活及关闭该存储器的列,类似于先前所叙述的自动更新指令,存储单元的信息因而可被规则地更新,即使没有存储控制器的外部自 ...
【技术保护点】
一种评估及控制动态存储器存储单元更新率之电路,-具一种控制电路(3)以控制至动态存储器存储单元之存取,其可以许多操作模式操作,-具一种存储电路(1),其系由该控制电路(3)驱动,以储存关于被指定至该时间信息项的存储单元(MC )之存取的时间信息项(ZS),-其中该控制电路(3)可以一种监督操作模式被操作使得在至经指定存储单元之存取的情况下,时间信息项(ZS)藉由该控制电路被写至该存储电路(1),此时间信息项在至经指定存储单元之后续存取的情况下被读出, -其中该读出时间信息项(ZS)被送至评估电路(6、7)藉由此关于在至该经指定存储单元之个别存取间的时间期间评估信息项(S)可输出于该存储器外部。
【技术特征摘要】
DE 2003-8-18 10337855.31.一种评估及控制动态存储器存储单元更新率之电路,-具一种控制电路(3)以控制至动态存储器存储单元之存取,其可以许多操作模式操作,-具一种存储电路(1),其系由该控制电路(3)驱动,以储存关于被指定至该时间信息项的存储单元(MC)之存取的时间信息项(ZS),-其中该控制电路(3)可以一种监督操作模式被操作使得在至经指定存储单元之存取的情况下,时间信息项(ZS)藉由该控制电路被写至该存储电路(1),此时间信息项在至经指定存储单元之后续存取的情况下被读出,-其中该读出时间信息项(ZS)被送至评估电路(6、7)藉由此关于在至该经指定存储单元之个别存取间的时间期间评估信息项(S)可输出于该存储器外部。2.根据权利要求第1项的电路,其中-该评估电路(6、7),用于决定评估信息项(S),系执行储存于该存储电路(1)的该时间信息项(ZS)与参考时间信息项(AZS)之比较,特别是计算由此的差,-该评估电路具存储单元(6、7)以储存许多连续决定评估信息项的个别值(最大值,最小值),-该存储单元(6、7)的内容可藉由该评估电路输出至该存储器外部。3.根据权利要求第2项的电路,其中输出评估信息项的该评估电路(6、7),可连接至该动态存储器的信息终端管脚(DQ0-DQ15)。4.根据权利要求第1至3项其中一项的电路,其中-该电路具计数寄存器(4),-该电路具振荡器(5),其系连接至该计数寄存器(4),以使用经定义计时速率增量或减量该计数寄存器,-该计数寄存器(4)可连接至该存储电路(1)以进行写入该时间信息项(ZS)的目的。5.根据权利要求第4项的电路,其中-该参考时间信息项(AZS)可在该计数寄存器(4)分接以与储存于该存储电路(1)的该时间信息项(ZS)比较。6.根据权利要求第4项的电路,其中该计数寄存器(4)可由操作模式信号(TM、RT)设定或重新设定。7.根据权利要求第1至3项其中一项的电路,其中该存储电路(1)系由排列于沿动态存储器的可寻址字线(WL)的存储区域(y=1)的该存储单元(MC)形成。8.根据权利要求第1至3项其中一项的电路,其中该存储电路(1)具一种存储区域(y=0)以储存控制位(AF)其以一种依据所储存时间信息项(ZS)的方式被设定及由该控制电路(3)读出。9.根据权利要求第1至3项其中一项的电路,其中-该电路被排列于许多存储芯片(103)的其一上,该许多存储芯片(101至103)形成存储模块装置(100),-该存储芯片(103)的其一系连接进入...
【专利技术属性】
技术研发人员:M佩纳,
申请(专利权)人:因芬尼昂技术股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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