更新振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种更新振荡器，包括：偏压电路，用于通过使用电流反射镜来产生恒定第一偏压及第二偏压，而不管电源电压的变化；启动电路，用于通过施加预定电平的电位至该偏压电路而稳定该偏压电路的初始操作；以及振荡器，用于根据该第一偏压及该第二偏压来产生恒定周期的更新信号。该更新振荡器可通过产生恒定周期的信号来改善操作可靠性，而不管该电源电压的变化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种更新振荡器，具体而言，本专利技术涉及一种更新振荡器，该更新振荡器可以在周期性执行DRAM更新操作的自更新操作期间，永远产生恒定周期的信号，而不需考虑电源电压变化。
技术介绍
一种自更新振荡器用来保证，在一预定时间后在DRAM中重复更新操作的自更新操作周期。该自更新振荡器产生恒定周期的信号，并且使用该信号来决定一自更新周期。图1是图示一种传统更新振荡器的电路图，该更新振荡器包括偏压电路10，用于使用熔丝F11至F13来控制介于二极管耦合的PMOS晶体管P11与NMOS晶体管N11间的电阻器R11至R15的电阻值，由此决定第一偏压BIAS1和第二偏压BIAS2的电平；和振荡器20，用于利用该第一偏压BIAS1和该第二偏压BIAS2来控制振荡周期。在该偏压电路10中，根据第一节点Q11的电位所驱动的该第一PMOS晶体管P11被二极管耦合在电源端VDD与该第一节点Q11之间，所述多个电阻器R11至R15系以串联方式耦合在该第一节点Q11与第二节点Q12之间，并且根据该第二节点Q12的电位所驱动的该第一NMOS晶体管N11被耦合在该第二节点Q12与接地端VSS之间。每个熔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种更新振荡器，包括：　　　　偏压电路，用于产生恒定第一偏压及第二偏压，而不管电源电压的变化；以及　　　　振荡器，用于依据该第一偏压及该第二偏压来产生具有恒定周期的更新信号。

【技术特征摘要】
KR 2003-12-10 89321/031.一种更新振荡器，包括偏压电路，用于产生恒定第一偏压及第二偏压，而不管电源电压的变化；以及振荡器，用于依据该第一偏压及该第二偏压来产生具有恒定周期的更新信号。2.根据权利要求1的更新振荡器，进一步包括启动电路，用于通过施加一预定电压至该偏压电路，而稳定该偏压电路的初始操作。3.根据权利要求1的更新振荡器，其中该偏压电路包含第一电流反射镜及第二电流反射镜，用于施加一预定电流至该第一节点及该第二节点，该第一节点的电位变成该第一偏压，而且该第二节点的电位变成该第二偏压。4.根据权利要求3的更新振荡器，其中该第一电流反射镜包括以串联方式耦合在电源端与该第一节点之间的第一PMOS晶体管和第三PMOS晶体管；以及以串联方式耦合在该电源端与该第二节点之间的第二PMOS晶体管和第四PMOS晶体管，根据该第一节点的电位来驱动第一至第四PMOS晶体管。5.根据权利要求3的更新振荡器，其中该第二电流反射镜包括第一NMOS晶体管，耦合在该第一节点与第三节点之间；以及第二NMOS晶体管，耦合在该第二节点与接地端之间，根据该第二节点的电位来驱动该第一NMOS晶体管及该第二NMOS晶体管。6.根据权利要求3的更新振荡器，其中该偏压电路进一步包括多个电阻器，串联耦合在该第二电流反射镜与该接地端之间；以及多个熔丝，每个熔丝以并联方式耦合至对应的电阻器，通过烧断熔丝来调整该电阻器的电阻值，由此来控制该第一偏压。7.根据权利要求2的更新振荡器，其中该启动电路包括第三NMOS晶体管，耦合在电源端与第一节点之间；第五PMOS晶体管，耦合在该电源端与第四节点之间；以及第四NMOS晶体管，耦合在该第四节点与接地端之间，根据该第四节点的电位来驱动该第三NMOS晶体管、该第四NMOS晶体管及该第五PMOS晶体管。8.根据权利要求1的更新振荡器，其中该振荡器包括多个反相器，每个反相器都具有一上拉器件及一下拉器件，其中该反相器以串联方式连接在该振荡器的输入端与其输出端之间，该输出端连接至该输入端；多个PMOS晶体管，耦合在电源端与该反相器的上拉器件之间，并且根据该第一偏压加以驱动；以及多个NMOS晶体管，耦合在该反...

【专利技术属性】
技术研发人员：具滋升，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]