【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路中芯片测试领域，尤其是一种内嵌存储器芯 片测试方法。技术背景测试芯片的过程中，由于测试系统的故障，如测试仪故障、探针卡损 坏等，会导致硅片中某些芯片测试结果异常，这种情况下必须对异常芯片 进行重新测试。但是由于目前没有区别测试正常或异常芯片的方法，只能 对硅片中所有测试的芯片进行重新测试。在这种情况下，已有技术的测试方法会消耗很多人力和时间，造成生 产成本的增加。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能 够区分测试异常的芯片和测试正常的芯片，从而在重新测试时只要对测试 异常的芯片进行复测，减少测试所消耗的时间和人工成本。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术 方案是，包括以下步骤第一步，对内嵌存储器芯片进行初次测试；第二 歩，判断初步测试结果，对初步测试正常并且测试结果为合格的芯片的内 嵌存储器中客户不使用的区域写入不同于存储器中原有数值的值，对初步 测试不正常或者测试结果为失效的芯片的内嵌存储器中相应位置保持原有 的值；第三步，通过测试仪读取第一步中内嵌存储器芯片相应位置的值， 若该值为写入的特定的值则将该芯片剔...
【技术保护点】
一种内嵌存储器芯片测试方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，对内嵌存储器芯片进行初次测试；第二步，判断初步测试结果，对初步测试正常并且测试结果为合格的芯片的内嵌存储器中客户不使用的区域写入不同于存储器中原有数值的值，对初步测试不正常或者测试结果为失效的芯片的内嵌存储器中相应位置保持原有的值；第三步，通过测试仪读取第一步中内嵌存储器芯片相应位置的值，若该值为写入的特定的值则将该芯片剔除出复测列表，若该值不为写入的特定的值则对该芯片进行复测；第四步，对复测正常并且测试结果为合格的芯片的内嵌存储器中客户不使用的区域写入不同于存储器中原有数值的值，对复测不正常或者测试结果为失效的...
【技术特征摘要】
1、一种内嵌存储器芯片测试方法，其特征在于，包括以下步骤第一步，对内嵌存储器芯片进行初次测试；第二步，判断初步测试结果，对初步测试正常并且测试结果为合格的芯片的内嵌存储器中客户不使用的区域写入不同于存储器中原有数值的值，对初步测试不正常或者测试结果为失效的芯片的内嵌存储器中相应位置保持原有的值；第三步，通过测试仪读取第一步中内嵌存储器芯片相应位置的值，若该值为写入的特定的值则将该芯片剔除出复测列表，若该值不为写入的特定的值则对该芯片进行复...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈婷，陈凯华，谢晋春，桑浚之，辛吉升，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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