【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2006年9月29日提交的韩国专利申请第10-2006-96186 号的优先权，其全部内容通过引用结合于此。
一般来说，本专利技术涉及闪存器件，更具体地，涉及闪存器件及使用 其的擦除方法，其中同时擦除多个块，从而缩短了擦除时间。
技术介绍
通常，NAND闪存器件包括多个单元块。 一个单元块包括其中多个 单元被串联的多个单元串、多个位线、多个字线、连接在所述单元串和 所述位线之间的漏选择晶体管以及连接在所述单元串和公共源线之间 的源选择晶体管。同时，共享一个字线的多个存储器单元组成一个页。全部单元共享 一个P阱。NAND闪存器件还包括用于向所述单元块施加特定电压的传 输晶体管(pass transistor )。所述传输晶体管包括用于漏选择的高电压 晶体管、用于源选择的高电压晶体管以及用于单元选择的高电压晶体 管。在以上构造的NAND闪存器件中，为了将数据编程到存储器单元 中，执行擦除，然后仅在所选的单元组上执行编程操作。在这种情况下， NAND闪存器件的编程操作是基于页来执行，但是其擦除操作则是基于 单元块来执行的，因为全部单元共享所述...
【技术保护点】
一种闪存器件，其包括： 多个块选择电路，响应于多个经解码的块地址信号和块控制信号来产生块选择信号；以及 多个存储器块，响应于所述块选择信号而连接到全局线，并包括响应于阱偏置来执行擦除操作的多个存储器单元阵列， 其中，每个所述块选择电路响应于所述块控制信号来产生所述块选择信号，而不管所述多个经解码的块地址信号，或响应于所述多个经解码的块地址信号来选择所述块选择信号，以选择对应的存储器块。
【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 10-2006-00961861.一种闪存器件，其包括多个块选择电路，响应于多个经解码的块地址信号和块控制信号来产生块选择信号；以及多个存储器块，响应于所述块选择信号而连接到全局线，并包括响应于阱偏置来执行擦除操作的多个存储器单元阵列，其中，每个所述块选择电路响应于所述块控制信号来产生所述块选择信号，而不管所述多个经解码的块地址信号，或响应于所述多个经解码的块地址信号来选择所述块选择信号，以选择对应的存储器块。2. 如权利要求1所迷的闪存器件，其中所述多个块选择电路中每一 个包括控制信号发生器，响应于所述多个经解码的块地址信号和所述块控制信号来产生选择控制信号；以及选择信号发生器，响应于所述选择控制信号来产生所述块选择信号。3. 如权利要求2所述的闪存器件，其中所述控制信号发生器包括 NAND门，其逻辑地组合所述多个经解码的块地址信号，并产生组合信号；锁存器，其存储对应于所述块控制信号的信息；晶体管，其连接到所述锁存器的输出节点和地电压，并被配置成响 应于所述块控制信号来控制所述锁存器的输出节点电压；以及AND门，其逻辑地组合所述锁存器的输出节点电压与所述组合信 号，并产生所述选择控制信号。...
【专利技术属性】
技术研发人员：王钟铉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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