三维存储器系统芯片技术方案

本发明专利技术提供了一种含有半３Ｄ－Ｍ层的三维存储器系统芯片（３ＤＭ－ＳｏＣ）。它充分利用了三维存储器（３Ｄ－Ｍ）可堆叠于衬底电路上的特点，将ＳｏＣ芯片中嵌入式存储器上的闲置互连线层转化为３Ｄ－Ｍ。该转化过程以极低的额外工艺成本，在基本不增加芯片面积的前提下能极大地增加ＳｏＣ的存储容量，提高其性能。本发明专利技术还提供了一种具有大３Ｄ－Ｍ基本阵列的３ＤＭ－ＳｏＣ，它可以避免因３Ｄ－Ｍ与系统的集成而需要对独立衬底电路块的版图进行改动。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，更确切地说，涉及电编程三维存储器系统芯片(3DM-SoC)。
技术介绍
集成电路日新月异的进步使芯片功能日益增加。由于现有技术中存储器和数据处理器均基于衬底晶体管1t，故很容易地集成在同一衬底上，这导致系统芯片(system-on-a-chip，简称为SoC)的广泛应用(图1A和图1B)。如图1A所示，一个SoC芯片一般含有嵌入式存储器(embedded memory，简称为eM，其所占的芯片区域称为eM区)0EM和嵌入式数据处理器(embedded processor，简称为eP，其所占的芯片区域称为eP区)0EP。eM含有RAM和/或ROM，它用来存储数据；eP具有逻辑和/或模拟功能，它对数据进行处理。在SoC芯片中，eM区中所需互连线的层数一般远少于eP区。如图1B所示，该SoC芯片的eP区0EP共使用了4层互连线1EP，即IL1-IL4，而其eM区0EM只使用了2层互连线1EM，即IL1和IL2，故有2层互连线在eM区内未被使用(IL3和IL4)。本专利技术将这些由未被使用的互连线层(如IL3和IL4)所占据的空间称为闲置空间1DY。对于基于d本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储器系统芯片，其特征在于含有：一基于衬底晶体管的嵌入式数据处理器（０ＥＰ）和一基于衬底晶体管的嵌入式存储器（０ＥＭ）；一半三维存储层（３ＤＭ），该半三维存储层堆叠于至少部分所述嵌入式存储器（０ＥＭ）上，且不堆叠于至 少部分所述嵌入式数据处理器（０ＥＰ）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：张国飙，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]