【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路失效分析领域,特别是指一种存储器芯片扰码验证方法。
技术介绍
对于存储器芯片,不论是易失性存储器还是非易失性存储器,在制造以及使用阶段,可能会遇到单个比特、多个比特、整行比特、整列比特等等失效模式,影响量产以及终端客户使用。要找到导致失效的根本原因,需要对芯片进行物理失效分析,即找出失效比特在芯片上的实际物理地址,针对性地进行物理解剖,从而发现失效根源。对存储器芯片的物理解剖,一般需要首先进行扰码验证,即找出电学地址和物理的对应关系。扰码验证传统的做法是:用激光或者聚焦离子束,在芯片正面进行物理破坏,然后测试电学失效地址,接着对芯片进行物理解剖,找到其物理地址,通过多个样品的数据,最终总结出电学地址和物理地址的对应关系。但是,随着芯片布线层次的增加,以及客户对芯片采取了加密保护措施(一般采取在芯片正面增加金属层加密网),存储器上方有很多控制电路的走线,只要用激光或者聚焦离子束进行物理破坏,便会导致整个存储器区域无法操作,更不用说破解。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种存储器芯片扰码验证方法。为解决上述问题,本专利技术所述的存储器芯片扰码验证方法,包含如下步骤:第一步,选取样品芯片,将样品芯片从背面开始研磨;第二步,采用化学腐蚀的方式继续腐蚀样品芯片背面;第三步,对存储区域进行物理损伤;第四步,对样品芯片背面加保护盖,转移至手动测试机台进行手动测试;第 ...
【技术保护点】
一种存储器芯片扰码验证方法,其特征在于:包含如下步骤:第一步,选取样品芯片,将样品芯片从背面开始研磨;第二步,采用化学腐蚀的方式继续腐蚀样品芯片背面;第三步,对存储区域进行物理损伤;第四步,对样品芯片背面加保护盖,转移至手动测试机台进行手动测试;第五步,选取多颗样品芯片,重复以上步骤。
【技术特征摘要】
1.一种存储器芯片扰码验证方法,其特征在于:包含如下步骤:
第一步,选取样品芯片,将样品芯片从背面开始研磨;
第二步,采用化学腐蚀的方式继续腐蚀样品芯片背面;
第三步,对存储区域进行物理损伤;
第四步,对样品芯片背面加保护盖,转移至手动测试机台进行手动测试;
第五步,选取多颗样品芯片,重复以上步骤。
2.如权利要求1所述的存储器芯片扰码验证方法,其特征在于:所述第一步中的样
品芯片为封装好的芯片;对于裸芯片,先进行封装之后再进行下一步骤。
3.如权利要求1所述的存储器芯片扰码验证方法,其特征在于:所述第一步,根据
样品芯片厚度的大小,背面研磨5~100μm,保留2~20μm。
4.如权利要求1所述的存储器芯片扰码验证方法,其特征在于:所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:马香柏,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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