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本发明公开了一种存储器芯片扰码验证方法，包含如下步骤：第一步，选取封装好的样品芯片，根据芯片厚度大小将样品芯片从背面开始研磨；第二步，采用化学腐蚀的方式继续腐蚀样品芯片背面；第三步，对存储区域进行物理损伤并记录物理损伤的物理地址；第四步，对...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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