EEPROM耐久性试验方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种EEPROM耐久性试验方法，包括：搭建矩阵结构；以“擦除-写入-读校验”为一轮测试周期对所有管位上的待测试EEPROM批量测试。针对现有EEPROM耐久性试验过程进行改进，省略“查空”步骤，引入并行操作，使得“擦除”、“写入”时实现全选操作，“读校验”时通过预处理直接产生校验结果，以实现列选操作。本发明专利技术还公开了一种EEPROM耐久性试验装置，包括：矩阵结构、中央处理器、逻辑控制电路、数据总线电路和锁存器。在“擦除-写入-读校验”的每个环节上尽量多的采用并行操作，有效节省时间和提高效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种EEPROM耐久性试验方法，其特征在于，包括：搭建M行N列的矩阵结构，具有M*N个用于插接待测试EEPROM的管位，每行N个管位引出一条局部数据总线，M≥2且为整数，N≥2且为整数；以“擦除‑写入‑读校验”为一轮测试周期对所有管位上的待测试EEPROM批量测试，其中，在“擦除”步骤中，对所有待测试EEPROM同时擦除，在相邻两轮测试周期的“写入”步骤中，所有待测试EEPROM分别同时写入互为反码的两个写入数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德权，李翠，于祥苓，常宏伟，戴俊夫，裴志强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十七研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21