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本发明提供了一种含有半３Ｄ－Ｍ层的三维存储器系统芯片（３ＤＭ－ＳｏＣ）。它充分利用了三维存储器（３Ｄ－Ｍ）可堆叠于衬底电路上的特点，将ＳｏＣ芯片中嵌入式存储器上的闲置互连线层转化为３Ｄ－Ｍ。该转化过程以极低的额外工艺成本，在基本不增加芯片面...
该专利属于张国飙所有，仅供学习研究参考，未经过张国飙授权不得商用。

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