在闪速存储器件中对数据进行编程的方法技术

一种将最高有效位（ＭＳＢ）数据编程到闪速存储器件中包括第一和第二单元的多级单元的方法，包括：使用第一编程电压对第一单元执行第一编程操作，当对第一单元执行第一编程操作时，第一单元处于第一状态；如果在第一编程操作之后，确定第一单元处于第二状态，则基于对第一编程电压与针对第二编程操作而预限定的起始电压进行比较的结果，来限定第二编程电压；以及使用已经根据第一编程电压与起始电压之间比较的结果而限定的第二编程电压，对第二单元执行第二编程操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多级单元(multi-level cell, MLC )闪速存储器件。更 具体地，本专利技术涉及一种，其中， 设置编程起始电压依赖于阈值电压的移动路径，以便改进编程时间。
技术介绍
通常，闪速存储器件分为NAND闪速存储器或NOR闪速存储器。 这里，NOR闪速存储器具有极好的随机存取时间特性，因为存储单元独 立地连接到位线和字线。然而，在NAND闪速存储器中，因为存储单元 串联连接，所以一个单元串需^仅一个接触，并且因此，就集成度而言， NAND闪速存储器具有极好的特性。因此，NAND闪速存储器通常在高 度集成的闪速存储器中采用。在美国专利No. 7,193,911中更详细地描述 了 NAND闪速存储器的配置，该美国专利通过引用结合于此。近来，为了提高闪速存储器的集成度，已经在积极研究用于在一个存 储单元中存储多个数据的多位单元。这种存储单元称为多级单元(MLC)。反之，用于存储一位的存储单 元称为单级单元(SLC).图l是示出了用于存储2位数据的多级单元的单元电压分布的视图。 用于存储2位数据的存储单元具有四种单元分布，即，对应于数据[11]的 单元分布，对应于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在包括多个多级单元的闪速存储器件中对数据进行编程的方法，所述多级单元包括第一单元和第二单元，所述方法包括：使用第一编程电压对所述第一单元和所述第二单元执行第一编程操作，当对所述第一单元执行所述第一编程操作时，所述第一单元处于第一状态；　　　　在已经执行所述第一编程操作之后，确定所述第一单元是否被编程到第二状态；　　　　如果确定所述第一单元处于所述第二状态，则将当前编程电压和用于第二编程操作的起始电压进行比较；　　　　基于所述比较的结果，限定用于所述第二编程操作的第二编程电压；以及　　　　使用已经根据所述比较的结果而限定的所述第二编程电压，来对所述第二单元执行所述第二编程操作。

【技术特征摘要】
KR 2007-1-23 10-2007-00070391. 一种在包括多个多级单元的闪速存储器件中对数据进行编程的方法，所述多级单元包括第一单元和第二单元，所述方法包括使用第一编程电压对所述第一单元和所述第二单元执行第一编程操作，当对所述第一单元执行所述第一编程操作时，所述第一单元处于第一状态；在已经执行所述第一编程操作之后，确定所述第一单元是否被编程到第二状态；如果确定所述第一单元处于所述第二状态，则将当前编程电压和用于第二编程操作的起始电压进行比较；基于所述比较的结果，限定用于所述第二编程操作的第二编程电压；以及使用已经根据所述比较的结果而限定的所述第二编程电压，来对所述第二单元执行所述第二编程操作。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，限定所述第二编程电压涉及在当前电压小于用于所述第二编程^Mt的起始电压的情况下，将所^始 电压设置为增加第二编程电压的初始电压。3. 根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一编程操作之前已 经对所述第 一单元进行编程，以将所述第 一单元置于所述第 一状态。4. 根据权利要求l所述的方法，进一步包括对所述第一单元进行最低有效位(LSB)编程，以将所述第一单元编 程到所述第一状态，其中，所述LSB编程在所述第一编程操作之前执行。5. 才艮据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二编程电压根 据增量步长脉冲编程(ISPP)方法而增加。6. 根据权利要求1所述的方法，其中，如果在执行预限定数目的编 程^Mt之后，确定所述第二单元不处于所述第三状态，则认为已经发生编 程失败。7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一、第二和第三状态 分别与第一、第二和第三發汪电压相关联。8. —种在包括具有特定电平的多级单元的闪速存储器件中对数据进 行编程的方法，包括从预置的第一起始电压开始，关于具有第一电平的单元而执行编程操作；使用第 一验证电压来辨别关于具有所述第 一 电平的所述单元的编程 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钟铉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]