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一种将最高有效位（ＭＳＢ）数据编程到闪速存储器件中包括第一和第二单元的多级单元的方法，包括：使用第一编程电压对第一单元执行第一编程操作，当对第一单元执行第一编程操作时，第一单元处于第一状态；如果在第一编程操作之后，确定第一单元处于第二状态，...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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