去除相移掩模上生长的杂质的方法技术

一种除去相移掩模上生长的杂质的方法。该方法通过在清洗之后进一步执行ＨＦ清洗和烘焙，有利地控制杂质生长，以使清洗过程中产生的残余化学离子的数量最小化。具体地，该方法包括，在石英衬底上形成包括相移膜和光阻挡膜的相移掩模图形，使用包含硫酸离子或铵离子的溶液清洗在石英衬底上形成的相移掩模图形，使用含水的ＨＦ溶液清洗已被清洗的相移掩模图形，以及烘焙利用含水的ＨＦ溶液清洗的相移掩模图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及除去相移掩模上生长的杂质的方法，更具体涉及通过在清洗之后进一步执行HF清洗和烘焙控制杂质的生长以使清洗过程中产生的残余化学离子的数量最小化的方法。
技术介绍
近年来，半导体器件的高集成度导致晶片上形成的图形的尺寸减小。为了在晶片上形成精细图形，采用使用光掩模的光刻技术。目前使用由具有几个百分比(％)的透光率的相移材料制成的半色调相移掩模，如氮氧化硅钼(MoSiON)。半色调相移掩模使用穿过相移材料的光和穿过石英衬底的光之间的相消性干扰，在晶片上形成相对精细的图形。下面，将参考附图解释制造半色调相移掩模和清洗工序的常规方法。图1A至1D是剖面图，说明半色调相移掩模的常规制造方法的过程。如图1A所示，在石英衬底10的整个表面上顺序地形成相移膜11、光阻挡膜12以及感光膜。感光膜被曝光并显影，以形成限定透光区A的感光膜图形13并露出光阻挡膜12。相移膜11包含MoSiON，光阻挡膜12包含铬(Cr)。如图1B所示，使用感光膜图形13作为刻蚀掩模顺序地刻蚀光阻挡膜12和相移膜11，以形成透光区A并除去感光膜图形13。通过等离子体干法刻蚀，使用氟基气体(如CF4、SF4或CH本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种除去相移掩模上生长的杂质的方法，包括：在掩模衬底上形成包括相移膜和光阻挡膜的相移掩模图形；使用包含硫酸离子或铵离子的溶液清洗在所述掩模衬底上形成的相移掩模图形；使用含水的ＨＦ溶液清洗已被清洗的所述相移掩模图形；以 及烘焙用所述含水的ＨＦ溶液清洗的所述相移掩模图形。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李俊植，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]