专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
海力士半导体有限公司
>
去除相移掩模上生长的杂质的方法技术
>技术资料下载
下载去除相移掩模上生长的杂质的方法的技术资料
文档序号:2747007
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种除去相移掩模上生长的杂质的方法。该方法通过在清洗之后进一步执行HF清洗和烘焙,有利地控制杂质生长,以使清洗过程中产生的残余化学离子的数量最小化。具体地,该方法包括,在石英衬底上形成包括相移膜和光阻挡膜的相移掩模图形,使用包含硫酸离子或铵...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。