【技术实现步骤摘要】
晶圆参数的修调方法
本专利技术属于集成电路制造
,具体涉及一种晶圆参数的修调方法。
技术介绍
晶圆在制造过程中,由于其制作工艺存在一定的离散性,因此不能保证晶圆的关键参数的一致性,鉴于此,在制造晶圆时,通常将每一个关键参数均设计出多档,然后在后期晶圆测试(Chipprobing)时,在每一个关键参数的多档中确定出与目标参数最接近的一档,进行修调。晶圆参数的修调主要为模拟量参数的修调,根据电路设计的不同,每项修调项其修调的档位一般有8~16档,甚至有些为256档。现有技术中,一种采用全档位修调的方法,例如全档位修调256档时,需要从第1档扫描至第256档,共需要256步,然后将扫描结果进行比对,确定出与目标参数最接近的一档,完成晶圆参数的修调,全档位修调需要对每一档进行扫描,修调步骤较多,修调耗时长,从而导致修调效率低。另一种,采用三点选档修调方法,由于取点较少,修调精度较低,当设计的多个档位是非线性分布时,修调精度更低,修调后不符合要求,三点修调方法无法覆盖非线性档位分布。专利技 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆参数的修调方法,其特征在于,包括:/n晶圆参数设置M个晶圆参数档位值;/n将所述M个晶圆参数档位值平均分为N个档位区间,在每个所述档位区间内选取一个所述晶圆参数档位值,获得N个晶圆参数档位值;/n分别测量N个所述晶圆参数档位值对应的N个晶圆参数量测值;/n在N个所述晶圆参数量测值中计算与晶圆参数目标值最接近的晶圆参数量测值;/n根据所述最接近的晶圆参数量测值与所述晶圆参数目标值的接近程度确定修调的晶圆参数档位值。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆参数的修调方法,其特征在于,包括:
晶圆参数设置M个晶圆参数档位值;
将所述M个晶圆参数档位值平均分为N个档位区间,在每个所述档位区间内选取一个所述晶圆参数档位值,获得N个晶圆参数档位值;
分别测量N个所述晶圆参数档位值对应的N个晶圆参数量测值;
在N个所述晶圆参数量测值中计算与晶圆参数目标值最接近的晶圆参数量测值;
根据所述最接近的晶圆参数量测值与所述晶圆参数目标值的接近程度确定修调的晶圆参数档位值。
2.如权利要求1所述的晶圆参数的修调方法,其特征在于,在N个所述晶圆参数量测值档位值中计算与晶圆参数目标值最接近的晶圆参数量测值包括:
将N个所述晶圆参数量测值分别与所述晶圆参数目标值做差,差值的绝对值最小的所述晶圆参数量测值对应的晶圆参数档位值作为最接近的晶圆参数档位值,记录所述最接近的晶圆参数档位值所在的档位区间序号值i,所述差值的绝对值的最小值记作△min。
3.如权利要求2所述的晶圆参数的修调方法,其特征在于,定义相邻的所述晶圆参数档位值做差的最小值为晶圆参数档位值的最小间差记作△Vp,所述△Vp的取值范围为0.7~1。
4.如权利要求3所述的晶圆参数的修调方法,其特征在于,
在△min<△Vp的条件下,修调的晶圆参数档位值的序号p=i*(M/N),修调的晶圆参数档位值为Vp。
5.如权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员:王善屹,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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