一种晶圆测试装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆测试装置和方法，所述装置包括测试电源和测试探针，所述测试探针包括柔性电极，当在所述测试探针上加载所述测试电源时，所述柔性电极在测试晶圆上能够形成盘状。根据本发明专利技术的晶圆测试装置和方法，测试探针采用柔性电极，在测试探针上加载测试电源时，通过改变柔性电极的形状，使柔性电极与晶圆上的测试点之间形成紧密的接触，接触界面间不存在空气间隙或污染物，有效提升了测试的准确性，同时，根据本发明专利技术的晶圆测试装置和方法，柔性电极能够形成盘状而作为测试中形成电容器的一个极板，从而不需要在硅基底表面的介质层上形成导电层以作为测试用电容器，节省工艺，操作简单，减少测试时间和测试成本。

A wafer testing device and method

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆测试装置和方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种晶圆测试装置和方法。
技术介绍
采用伏安特性曲线进行表征的电化学测试方法常用来检测硅晶体中的缺陷，如晶体的原生离子缺陷(COP，CrystalOriginatedPits)。一种典型的通过进行栅氧化层完整性测试(GOI，GateOxideIntegrity)检测硅晶体中的缺陷的方法如图1所示，其包括：首先，在硅基底100上通过热氧化形成热氧化硅层101；接着，在热氧化硅层101上形成图形化的导电层102，导电层可以是多晶硅层或者金属层，由此在导电层102、热氧化硅层101和硅基底100之间形成电容器；接着，通过测试设备103在电容器上加载斜坡电压或者斜坡电流直到热氧化硅层101击穿，采用击穿电压或者充电用来评价氧化层的完整性。其中，测试设备103在电容器上接通电流或电压时，通常采用探针1031来接触图形化的导电层102。由于探针1031通常采用硬质材料，其与图形化的导电层102接触的过程中往往发生探针1031与导电层102之间存在空隙而发生接触不良的现象，影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆测试装置，其特征在于，包括测试电源和测试探针，所述测试探针包括柔性电极，当在所述测试探针上加载所述测试电源时，所述柔性电极在测试晶圆上能够形成盘状。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试装置，其特征在于，包括测试电源和测试探针，所述测试探针包括柔性电极，当在所述测试探针上加载所述测试电源时，所述柔性电极在测试晶圆上能够形成盘状。


2.根据权利要求1所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述柔性电极的材料包括液态金属。


3.根据权利要求2所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述测试探针还包括：
储液腔，用以存储所述液态金属；
设置在所述储液腔的第一端的电极尖端管，用以输出所述液态金属。


4.根据权利要求3所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述测试探针还包括：设置在与所述第一端相对的第二端的真空控制管，用以提供回收所述液态金属的真空环境。


5.根据权利要求3所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述储液腔设置为球形或者椭球形。


6.根据权利要求3所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述测试探针的材料包括石墨烯、钨、钨合金、铜或者铜合金。


7.根据权利要求3所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述电极尖端管的直径的范围为0.1mm-5mm。


8.根据权利要求4所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述真空控制管的直径的范围为1mm-10mm。


9.根据权利要求4所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述真空控制管中的压力范围为700...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，沈伟民，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31