一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法技术

本发明专利技术公开了一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法，该残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形，通过使用该残胶检测工具在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影；检测基片表面的光泽；根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域，可以提高残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有掩膜图案的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

A residual glue detection tool, manufacturing method and residual glue detection method

【技术实现步骤摘要】
一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法
本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断发展，特征尺寸越来越小，对工艺控制的要求也越来越严格，在生产制造的过程中为能及时发现工艺缺陷，需要对产品进行在线检测。残胶是生产工艺过程中经常出现的一种工艺缺陷，其出现概率高，形式多样，有些残胶的出现还及其隐蔽。现有技术中的残胶检测方式通常是通过显微镜来对半导体集成电路或器件进行抽检，或者通过AOI检测设备进行检测。然而，通过显微镜抽检的方式容易出现漏检，通过AOI检测设备检测虽然可以发现大部分的残胶缺陷，但是通过AOI设备检测需要花费的时间较长，且对于轻微残胶的检测能力偏弱，对残胶问题的诊断并无明显的提升作用。
技术实现思路
本专利技术提供一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法，以实现提高残胶检测效率，提升残胶问题的诊断率。第一方面，本专利技术实施例提供了一种残胶检测工具，包括至少一种均匀排布的几何图形。可选的，残胶检测工具中，同一种若干几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形。可选的，每个像素图形中的子像素图形的形状和尺寸相同，且每个像素图形中子像素图形的个数小于或者等于4个。可选的，子像素图形的面积大于或者等于4平方毫米，且子像素图形在任意方向上的长度大于或者等于1毫米。可选的，子像素图形的形状为规则的多边形。可选的，均匀排布的方式为相邻两个几何图形在一特定方向上距离固定。可选的，几何图形为中心对称图形时，均匀排布的方式为相邻两个几何图形的中心距离固定。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种残胶检测工具的制作方法，包括：提取目标工艺层的图形的几何特征形成特征图形；将同一种若干特征图形均匀排布形成一种子像素图形；将至少一种若干子像素图形排布形成一个多边形的像素图形；将若干像素图形排布使其填充满曝光区域形成版图，根据版图制作成残胶检测工具。可选的，目标工艺层的图形的几何特征包括目标工艺层的图形形状特征、尺寸特征和分布特征。可选的，特征图形为与目标工艺层中的图形形状相同的图形，特征图形的尺寸与目标工艺层中的几何图形的尺寸之差的绝对值小于目标工艺层中几何图形尺寸的20％，且特征图形的分布特征与目标工艺层中相同图形的分布特征相同。可选的，特征图形为与目标工艺层中的图形形状相似的几何图形，多个特征图形拼接后的尺寸与目标工艺层中的图形形状相同，且分布特征相同。可选的，特征图形为对称图形。可选的，目标工艺层中具有拐角结构的几何图形的特征图形为带有拐角结构的封闭对称图形。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种残胶检测方法，包括：使用残胶检测工具在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影，其中残胶检测工具上包括至少一种均匀排布的几何图形；检测基片表面的光泽；根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域。本专利技术实施例提供的残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法，该残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形，通过使用该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，使得基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有掩膜图案的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的残胶检测工具的一种像素图形的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的残胶检测工具的另一种像素图形的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种残胶检测工具的部分示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种残胶检测工具的部分示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种残胶检测工具的制作方法的流程图；图6是本专利技术实施例提供的一种残胶检测工具的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的目标工艺层中图形为矩形和其对应的特征图形的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的目标工艺层中的带拐角图形及其对应的特征图形的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种残胶检测方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。在实际生产工艺中，光刻工艺完成后，由于光刻设备参数调节不准确或者曝光镜头出现问题等原因，会导致基片表面残留一部分光刻胶，残留光刻胶的存在会影响下一步的生产工艺，例如可能会导致后续蚀刻过程中出现蚀刻不完全的问题，导致产品良率低下。而现有的残胶检测方式，例如通过显微镜来抽检会出现漏检，或者通过AOI检测设备进行检测的方式，会导致检测花费时间较长，且对轻微残胶能力检测偏弱，对残胶问题的诊断并无明显的提升作用。基于上述问题，本专利技术实施例提供了一种残胶检测工具，该残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形。使用该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以使得基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有几何图形的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。以上在本专利技术的核心思想，下面结合实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1是本专利技术实施例提供的残胶检测工具的一种像素图形的示意图，图2是本专利技术实施例提供的残胶检测工具的另一种像素图形的示意图。参考图1和图2，该残胶检测工具中，同一种若干几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形100。图1示出了残胶检测工具中的几何图形为正方形的情形，多个正方形101均匀排布形成子像素图形110，为了尽量模拟实际生产工艺情况，残胶检测工具中的几何图形之间的间距应与实际生产用的几何图形间距尽量保持一致。继续参考图1，包含正方形101的同种子像素图形110排布成像素图形100。参考图2，图2示出了两种子像素图形，包括子像素图形110和子像素图形120，其中子像素图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种残胶检测工具，其特征在于，所述残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种残胶检测工具，其特征在于，所述残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形。


2.根据权利要求1所述的残胶检测工具，其特征在于，所述残胶检测工具中，同一种若干所述几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形。


3.根据权利要求2所述的残胶检测工具，其特征在于，每个所述像素图形中的所述子像素图形的形状和尺寸相同，且每个所述像素图形中所述子像素图形的个数小于或者等于4个。


4.根据权利要求2所述的残胶检测工具，其特征在于，所述子像素图形的面积大于或者等于4平方毫米，且所述子像素图形在任意方向上的长度大于或者等于1毫米。


5.根据权利要求2所述的残胶检测工具，其特征在于，所述子像素图形的形状为规则的多边形。


6.根据权利要求1所述的残胶检测工具，其特征在于，所述均匀排布的方式为相邻两个所述几何图形在一特定方向上距离固定。


7.根据权利要求6所述的残胶检测工具，其特征在于，所述几何图形为中心对称图形时，所述均匀排布的方式为相邻两个所述几何图形的中心距离固定。


8.一种残胶检测工具的制作方法，其特征在于，包括：
提取目标工艺层的图形的几何特征形成特征图形；
将同一种若干所述特征图形均匀排布形成一种子像素图形；
将至少一种若干所述子像素图形排布形成一个多边形的像素图形；
将若干像素图形排布使其填充满曝光区域形成版图，根据所述版图制作成残胶检测工具。


9.根据权利要求8所述的残胶检测工具...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊春华，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31