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一种晶圆加工设备制造技术

技术编号:24332967 阅读:24 留言:0更新日期:2020-05-29 20:39
本发明专利技术公开了一种晶圆加工设备,其结构包括加工箱体、操作面板、压板、合盖,加工箱体的内部分有驱动腔与清洗槽体,操作面板用于控制内部的驱动腔,合盖采用铰接连接方式配合在加工箱体上,合盖的外表面固定有压板,清洗槽体上设置有晶圆夹持座与清洗机构、容水槽,清洗机构设有两个,分别安装在晶圆夹持座的两侧,本发明专利技术在晶圆夹持座的两侧设有清洗机构,该清洗机构由传统的直立式为水平高压冲洗式,两侧的出水柱射出水流更加全面的作用在晶圆上,不仅可提高细小微粒的去除效率同时相对于直立式带来的冲击力,该水平式的冲击力较为温柔,可保持晶圆特性,不会影响到后期加工使用。

A wafer processing equipment

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工设备
本专利技术涉及晶圆加工
,特别的,是一种晶圆加工设备。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品,晶圆加工的基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感,为了达成晶圆表面无污染物的目标,必须移除表面的污染物并避免在制成前让污染物重新残余在晶圆表面,因此半导体晶圆在制造过程中,需要经过多次的表面清洗步骤,以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类,所谓湿式化学清洗技术,是以液状酸碱熔剂与去离子水之混合物青瓷晶圆表面,随后加以润湿再干燥的程序,在湿式清洗程序中会有微粒污染,而微粒的清除技术包括擦洗、超音波以及高压液体喷洒,其中高压液体喷洒是利用液体与微粒间的应剪力将微粒清除,但是由于现有的直立式高压冲击,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆加工设备,其特征在于:其结构包括加工箱体(1)、操作面板(2)、压板(3)、合盖(4),所述加工箱体(1)的内部分有驱动腔(5)与清洗槽体(6),所述操作面板(2)用于控制内部的驱动腔(5),所述合盖(4)采用铰接连接方式配合在加工箱体(1)上,所述合盖(4)的外表面固定有压板(3),所述清洗槽体(6)上设置有晶圆夹持座(7)与清洗机构(61)、容水槽(8);/n所述清洗机构(61)设有两个,分别安装在晶圆夹持座(7)的两侧,所述驱动腔(5)中设置有导水口(51)、支承垫(52)、旋转座(53)、转盘(54)、转盘电气端(55),所述导水口(51)分别置于容水槽(8)的底部两侧,所...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工设备,其特征在于:其结构包括加工箱体(1)、操作面板(2)、压板(3)、合盖(4),所述加工箱体(1)的内部分有驱动腔(5)与清洗槽体(6),所述操作面板(2)用于控制内部的驱动腔(5),所述合盖(4)采用铰接连接方式配合在加工箱体(1)上,所述合盖(4)的外表面固定有压板(3),所述清洗槽体(6)上设置有晶圆夹持座(7)与清洗机构(61)、容水槽(8);
所述清洗机构(61)设有两个,分别安装在晶圆夹持座(7)的两侧,所述驱动腔(5)中设置有导水口(51)、支承垫(52)、旋转座(53)、转盘(54)、转盘电气端(55),所述导水口(51)分别置于容水槽(8)的底部两侧,所述转盘(54)的信号输入端与转盘电气端(55)的信号端采用电性连接,所述转盘电气端(55)通过两侧机械连接的支承垫(52)固定在转盘(54)的底部,所述转盘(54)安装在旋转座(53)的底部,两者同一圆心。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆加工设备,其特征在于:所述清洗机构(61)设有安装框体,在安装框体之间水平固定有一个用于安装晶圆夹持座(7)的水平横板,所述水平横板为两侧镂空中部实心的结构。


3.根据权利要求1所述的一种晶圆加工设备,其特征在于:所述旋转座(53)的外表面设有保护框体,并且设置在容水槽(8)的内部。


4.根据权利要求1或2所述的一种晶圆加工设备,其特征在于:所述清洗机构(61)的液体输入端配合有引管(62)与水泵(63),所述引管(62)一端连接于水泵(63),另一端与清洗机构(61)的液体输入端相接。


5.根据权利要求1或2所述的一种晶圆加工设备...

【专利技术属性】
技术研发人员:饶正盛
申请(专利权)人:饶正盛
类型:发明
国别省市:上海;31

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