半导体元件及其制造方法技术

一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括在基板上方形成半导体鳍片。鳍片间隔物形成于半导体鳍片侧壁上。在鳍片间隔物上实施电子束处理。磊晶结构形成于半导体鳍片上方。磊晶结构接触经电子束处理的鳍片间隔物。

Semiconductor components and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本揭示案是有关一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
随着半导体工业已进入纳米技术制程节点，以追求更高元件密度、更高效能，及更低成本，制造及设计问题产生的挑战已导致三维设计的发展，如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor；FinFET)及使用具有高k(介电常数)材料的金属栅极结构。金属栅极结构常通过使用栅极替换技术制造而成，且源极及漏极通过使用磊晶生长方法而形成。
技术实现思路
本揭示案提供一种半导体元件的制造方法包含在基板上方形成半导体鳍片。鳍片间隔物形成于半导体鳍片侧壁上。在鳍片间隔物上实施电子束处理。磊晶结构形成于半导体鳍片上方。磊晶结构接触经电子束处理的鳍片间隔物。本揭示案提供一种半导体元件的制造方法包含决定热点区域的位置。半导体鳍片位于基板上方。鳍片间隔物分别位于半导体鳍片的侧壁上。鳍片间隔物的部分位于热点区域中。鳍片间隔物中位于热点区域中的部分带电荷。磊晶结构分别形成于半导体鳍片上方。本揭示案提供一种半导体元件包含第一半导体鳍片、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包括：/n在一基板上形成一半导体鳍片；/n在该半导体鳍片的一侧壁上形成一鳍片间隔物；/n在该鳍片间隔物上实施一电子束处理；及/n在该半导体鳍片上方形成一磊晶结构，其中该磊晶结构接触该经电子束处理的鳍片间隔物。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,673;20190530 US 16/427,1811.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包括：
在一基板上形成一半导体鳍片；
在该半导体鳍片的一侧壁上形成一鳍片间隔物；
在该鳍片间隔物上实施一电子束处理；及
在该半导体鳍片上方形成一磊晶结构，其中该磊晶结构接触该经电子束处理的鳍片间隔物。


2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中实施该电子束处理的步骤包括：
在该鳍片间隔物上提供一电子束；及
沿一方向移动该电子束，该方向大体上平行于该鳍片间隔物的一延伸方向。


3.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包括：
决定一热点区域的一位置；
在一基板上方形成多个半导体鳍片；
分别在所述多个半导体鳍片的侧壁上形成多个鳍片间隔物，其中所述多个鳍片间隔物的一部分位于该热点区域中；
使所述多个鳍片间隔物中位于该热点区域中的该部分带电荷；及
分别在所述多个半导体鳍片上方形成多个磊晶结构。


4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中使所述多个鳍片间隔物中位于该热点区域中的该部分带电荷包括使所述多个鳍片间隔物中位于该热点区域外的一部分保持不带电荷。


5.一种半导体元件，其特征在于，包括：
一第一半导体鳍片及一第二半导体鳍片；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖汉文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71