【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管作为半导体制造中的最基本器件，常被广泛适用于各种集成电路中。根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，将互补式金属氧化物半导体分为NMOS晶体管和PMOS晶体管。以所述NMOS晶体管为例，所述NMOS晶体管包括：源漏掺杂区。现有互补式金属氧化物半导体工艺中，为了改善源漏掺杂区与源漏掺杂区上插塞的接触电阻，通常在源漏掺杂区的顶部表面形成金属硅化物层。然而，现有技术形成的晶体管的性能仍较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区，所述第一区基底表面具有介质层，所述第一区介质层内具有伪栅开口，所述伪栅开口两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述介质层覆盖源漏掺杂区的表面；去除部分介质层，直至暴露出源...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括第一区，所述第一区基底表面具有介质层，所述介质层内具有伪栅开口，所述伪栅开口两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述介质层覆盖源漏掺杂区的表面；/n去除部分所述介质层，直至暴露出源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔；/n在所述接触孔底部的源漏掺杂区表面形成金属硅化物层；/n形成所述金属硅化物层之后，在所述第一区的伪栅开口底部形成第一功函数层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一区，所述第一区基底表面具有介质层，所述介质层内具有伪栅开口，所述伪栅开口两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述介质层覆盖源漏掺杂区的表面；
去除部分所述介质层，直至暴露出源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔；
在所述接触孔底部的源漏掺杂区表面形成金属硅化物层；
形成所述金属硅化物层之后，在所述第一区的伪栅开口底部形成第一功函数层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的形成方法包括：在所述接触孔底部的源漏掺杂区表面形成金属层；进行第一退火处理，使金属层与源漏掺杂区的顶部进行反应形成金属硅化物层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括镍或者钛。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火工艺包括：激光退火工艺；所述激光退火工艺的参数包括：850摄氏度～1000摄氏度。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成NMOS晶体管时，所述第一功函数层的材料包括钛铝。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔之前，所述形成方法包括：在所述第一区的伪栅开口底部形成栅介质层和位于栅介质层表面的第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成第二牺牲层；所述第一牺牲层的材料包括非晶硅；所述第二牺牲层的材料包括非晶硅。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅介质层之后，形成第一牺牲层之前，还包括：进行第二退火工艺；所述第二退火工艺包括尖峰退火工艺；所述尖峰退火工艺的参数包括：800摄氏度～950摄氏度。
8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一牺牲层之后，形成第二牺牲层之前，所述形成方法还包括：进行第三退火工艺；所述第三退火工艺包括尖峰退火工艺；所述尖峰退火工艺的参数包括：850摄氏度～1000摄氏度。
9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括第二区，所述介质层还位于第二区基底表面，所述伪栅开口还位于所述第二区介质层内，所述源漏掺杂区还位于所述第二区伪...
【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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