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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区，所述第一区基底表面具有介质层，所述第一区介质层内具有伪栅开口，所述伪栅开口两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述介质层覆盖源漏掺杂区的表面；去除部分介质层，直至暴露出源...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。