薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管包括栅极(41)、与栅极电性绝缘的有源层(20)、源极和漏极，以及设置在栅极和有源层(20)之间的栅绝缘层(31)，源极和漏极分别与有源层相接触，栅绝缘层和栅极通过以下步骤形成：在衬底(10)的上表面形成有源层；在有源层和衬底的上表面依次形成绝缘层(30)和金属层(40)；通过第一阻挡图案(511)对金属层进行第一图案化处理，以形成栅极；在第一阻挡图案存在的条件下，通过第二阻挡图案(522)对绝缘层进行第二图案化处理，以形成栅绝缘层。

Thin film transistor and its preparation method, array substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。技术背景薄膜晶体管(TFT)是场效应晶体管的种类之一，薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层等等，但是在制备过程中依然会存在各种影响薄膜晶体管性能的问题，进而影响显示装置的显示效果或使用寿命。因此，关于薄膜晶体管的研究也有待深入。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种制备简单、保护有源层和栅极不受损伤或者防止TFT电性异常的制备薄膜晶体管方法。本专利技术是专利技术人基于以下的认识和发现获得的：在目前制备薄膜晶体管的方法中，通常会存在以下问题：1、过度刻蚀，造成电性异常；2、在形成栅绝缘层过程中，参照图1A和图1B，栅绝缘层1与栅极2之间对位精度发生差异，导致两者之间发生偏移，导致部分栅极3未能被光刻胶4覆盖而被暴露，并刻蚀掉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极电性绝缘的有源层、源极和漏极，以及设置在所述栅极和所述有源层之间的栅绝缘层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层相接触，所述栅绝缘层和所述栅极通过以下步骤形成：/n在衬底的上表面形成所述有源层；/n在所述有源层和所述衬底的上表面依次形成绝缘层和金属层；/n通过第一阻挡图案对所述金属层进行第一图案化处理，以形成所述栅极；/n在所述第一阻挡图案存在的条件下，通过第二阻挡图案对所述绝缘层进行第二图案化处理，以形成所述栅绝缘层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极电性绝缘的有源层、源极和漏极，以及设置在所述栅极和所述有源层之间的栅绝缘层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层相接触，所述栅绝缘层和所述栅极通过以下步骤形成：
在衬底的上表面形成所述有源层；
在所述有源层和所述衬底的上表面依次形成绝缘层和金属层；
通过第一阻挡图案对所述金属层进行第一图案化处理，以形成所述栅极；
在所述第一阻挡图案存在的条件下，通过第二阻挡图案对所述绝缘层进行第二图案化处理，以形成所述栅绝缘层。


根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层和所述栅极通过以下步骤形成：
在所述金属层上表面形成第一阻挡图案，去除未被所述第一阻挡图案覆盖的所述金属层，以形成所述栅极；
在保留所述第一阻挡图案的条件下，在暴露的所述绝缘层上表面形成第二阻挡图案，去除未被所述第二阻挡图案覆盖的所述绝缘层，以形成所述栅绝缘层，
其中，所述有源层在所述衬底上的投影覆盖未被所述第二阻挡图案覆盖的所述绝缘层在衬底上的投影。


根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层和所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓辉，李明亮，王征文，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44