显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了显示装置及其制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。

Display device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
示例实施方式涉及显示装置和显示装置的制造方法。
技术介绍
近来，已制造出重量轻且尺寸小的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置已经因性能和有竞争力的价格而被使用。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置已经因尺寸小、重量轻和功耗低而备受推崇。
技术实现思路
实施方式涉及显示装置，包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。上部可为有源图案的1/3厚度，并且下部可为有源图案的1/3厚度。有源图案的沟道区的掺杂剂可包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。有源图案的沟道区的平均粒度可为270nm或更大。根据有源图案的沟道区的电子背散射衍射结果，(001)方向的分数可为33％或更大。显示装置还可包括栅极绝缘层、层间绝缘层、源电极和漏电极，栅极绝缘层位于有源图案与栅电极之间，层间绝缘层位于栅电极上，并且源电极和漏电极位于层间绝缘层上并且电连接到有源图案。显示装置还可包括通孔绝缘层、第一电极、发光层和第二电极，通孔绝缘层位于源电极和漏电极上，第一电极位于通孔绝缘层上并且电连接到漏电极，发光层位于第一电极上，并且第二电极位于发光层上。实施方式也涉及显示装置的制造方法，该方法包括：在基础衬底上形成非晶硅层；用杂质掺杂非晶硅层；通过用准分子激光器照射掺杂的非晶硅层来形成晶体硅层；对晶体硅层进行图案化；以及在晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区的有源图案。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。在掺杂非晶硅层时，有源图案的沟道区的掺杂剂可包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。在掺杂非晶硅层时，掺杂剂的剂量可为0.4E12at/cm2至1.5E12at/cm2。晶体硅层可满足下式1：<式1>Y＝-0.075X+1.018nm其中，Y是单位为纳米的在掺杂剂的量的最大峰值处距晶体硅层的上表面的深度，并且X是单位为J/cm2的准分子激光器的激光密度。在形成有源图案时，掺杂的晶体硅层的源区和漏区还可掺杂有杂质以增加源区和漏区的导电性。在形成有源图案时用于形成源区和漏区的剂量可大于在掺杂非晶硅层时的剂量。有源图案的沟道区的平均粒度可为270nm或更大。根据有源图案的沟道区的电子背散射衍射结果，(001)方向的分数可为33％或更大。该方法还可包括：在对晶体硅层进行图案化之后，在图案化的晶体硅层上形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成栅电极。在形成有源图案时，杂质可掺杂到布置有栅电极的晶体硅层中以形成源区和漏区。该方法还可包括：在栅电极上形成中间绝缘层；在中间绝缘层上形成电连接到有源图案的源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成通孔绝缘层；在通孔绝缘层上形成电连接到漏电极的第一电极；在第一电极上形成发光层；以及在发光层上形成第二电极。该方法还可包括对有源图案执行热处理。附图说明通过参考附图对示例实施方式进行详细描述，特征将对本领域技术人员变得显而易见，在附图中：图1示出了根据示例实施方式的显示装置的剖面图；图2示出了根据沟道掺杂顺序和沟道掺杂量的薄膜晶体管的I-V曲线的曲线图；图3A和图3B示出了根据沟道掺杂顺序和沟道掺杂量的薄膜晶体管的滞后的曲线图；图4示出了根据准分子激光退火(ELA)工艺的激光能量的取决于有源图案的深度的掺杂剂密度的变化的曲线图；图5示出了根据沟道掺杂顺序的EBSD(电子背散射衍射)结果的图；图6A至图6H示出根据示例实施方式的显示装置的制造方法的剖面图；图7示出了根据示例实施方式的电子设备的框图；图8A示出了图7的电子设备被实现为电视机的示例的图；以及图8B示出了图7的电子设备被实现为智能电话的示例的图。具体实施方式现在，将在下文中参考附图对示例实施方式进行更加全面地描述；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中所记载的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达示例实现方式。在附图中，为了清楚地示出，层和区的尺寸可被放大。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。图1是示出根据示例实施方式的显示装置的剖面图。参照图1，显示装置可包括基础衬底100、缓冲层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE、层间绝缘层130、源电极SE、通孔绝缘层140、发光结构180、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。基础衬底100可包括透明或不透明的绝缘材料。例如，基础衬底100可包括石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、氟化物掺杂的石英衬底、钠钙玻璃衬底、无碱玻璃衬底等。在另一实现方式中，基础衬底100可包括柔性透明材料，诸如柔性透明树脂衬底，例如，聚酰亚胺衬底。在这种情况下，聚酰亚胺衬底可包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。例如，聚酰亚胺衬底可具有第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在刚性玻璃衬底上的配置。缓冲层110可布置在基础衬底100上。缓冲层110可布置在整个基础衬底100上。缓冲层110可防止金属原子和/或杂质从基础衬底100扩散到有源图案ACT中。另外，缓冲层110可控制用于形成有源图案ACT的结晶工艺中的热传递速率，而这可有助于提供基本上均匀的有源图案ACT。另外，当基础衬底100的表面不均匀时，缓冲层110可改善基础衬底100的表面的平坦度。有源图案ACT可布置在缓冲层110上。有源图案ACT可包括多晶硅。有源图案ACT可包括掺杂有杂质的漏区D和源区S以及位于漏区D与源区S之间的沟道区CH。杂质也可掺杂在沟道区CH中(沟道掺杂)，并且杂质可包括硼(B)、磷(P)、氮(N)、镍(Ni)、钴(Co)和氟(F)中的至少一种。在本示例实施方式中，例示了杂质为硼的情况。沟道区CH可包括与缓冲层110相邻的下部10、与栅极绝缘层120相邻的上部30以及位于下部10与上部30之间的中间部20。当掺杂剂为硼时，掺杂剂的密度可能不会根据从有源图案ACT的顶表面的深度而快速地变化，但是可相对缓慢地变化。因此，掺杂剂可均匀地分布在有源图案ACT的整个沟道区CH中。在本示例实施方式中，下部10的掺杂剂密度可为上部30的掺杂剂密度的80％或更高。上部30的厚度可为有源图案ACT的总厚度的约1/3。下部10的厚度可为有源图案ACT的总厚度的约1/3。通常，在执行沟道掺杂的有源图案的沟道区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：/n在基础衬底上形成非晶硅层；/n用杂质掺杂所述非晶硅层；/n通过用准分子激光器照射掺杂的所述非晶硅层来形成晶体硅层；/n对所述晶体硅层进行图案化；以及/n在所述晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括所述源区、所述漏区和位于所述源区与所述漏区之间的沟道区的有源图案，/n其中，所述沟道区包括下部、上部和位于所述上部与所述下部之间的中间部，并且所述下部的掺杂剂密度为所述上部的掺杂剂密度的80％或更多。/n

【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01452481.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
在基础衬底上形成非晶硅层；
用杂质掺杂所述非晶硅层；
通过用准分子激光器照射掺杂的所述非晶硅层来形成晶体硅层；
对所述晶体硅层进行图案化；以及
在所述晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括所述源区、所述漏区和位于所述源区与所述漏区之间的沟道区的有源图案，
其中，所述沟道区包括下部、上部和位于所述上部与所述下部之间的中间部，并且所述下部的掺杂剂密度为所述上部的掺杂剂密度的80％或更多。


2.如权利要求1所述的方法，其中，在掺杂所述非晶硅层时，所述有源图案的所述沟道区的掺杂剂包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。


3.如权利要求2所述的方法，其中，在掺杂所述非晶硅层时，所述掺杂剂的剂量为0.4E12at/cm2至1.5E12at/cm2。


4.如权利要求2所述的方法，其中，所述晶体硅层满足下式1：
<式1>
Y＝-0.075X+1.018nm
其中，Y是单位为纳米的在所述掺杂剂的量的最大峰值处距所述晶体硅层的上表面的深度，并且X是单位为J/cm2的所述准分子激光器的激光密度。


5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁泰勋，金基范，白种埈，苏炳洙，李宗璨，郑雄喜，郑在祐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR