【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
示例实施方式涉及显示装置和显示装置的制造方法。
技术介绍
近来，已制造出重量轻且尺寸小的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置已经因性能和有竞争力的价格而被使用。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置已经因尺寸小、重量轻和功耗低而备受推崇。
技术实现思路
实施方式涉及显示装置，包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。上部可为有源图案的1/3厚度，并且下部可为有源图案的1/3厚度。有源图案的沟道区的掺杂剂可包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。有源图案的沟道区的平均粒度可为270nm或更大。根据有源图案的沟道区的电子背散射衍射结果，(001)方向的分数可为
【技术保护点】
1.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：/n在基础衬底上形成非晶硅层；/n用杂质掺杂所述非晶硅层；/n通过用准分子激光器照射掺杂的所述非晶硅层来形成晶体硅层；/n对所述晶体硅层进行图案化；以及/n在所述晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括所述源区、所述漏区和位于所述源区与所述漏区之间的沟道区的有源图案，/n其中，所述沟道区包括下部、上部和位于所述上部与所述下部之间的中间部，并且所述下部的掺杂剂密度为所述上部的掺杂剂密度的80％或更多。/n
【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01452481.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
在基础衬底上形成非晶硅层；
用杂质掺杂所述非晶硅层；
通过用准分子激光器照射掺杂的所述非晶硅层来形成晶体硅层；
对所述晶体硅层进行图案化；以及
在所述晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括所述源区、所述漏区和位于所述源区与所述漏区之间的沟道区的有源图案，
其中，所述沟道区包括下部、上部和位于所述上部与所述下部之间的中间部，并且所述下部的掺杂剂密度为所述上部的掺杂剂密度的80％或更多。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在掺杂所述非晶硅层时，所述有源图案的所述沟道区的掺杂剂包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在掺杂所述非晶硅层时，所述掺杂剂的剂量为0.4E12at/cm2至1.5E12at/cm2。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述晶体硅层满足下式1：
<式1>
Y＝-0.075X+1.018nm
其中，Y是单位为纳米的在所述掺杂剂的量的最大峰值处距所述晶体硅层的上表面的深度，并且X是单位为J/cm2的所述准分子激光器的激光密度。
5.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁泰勋，金基范，白种埈，苏炳洙，李宗璨，郑雄喜，郑在祐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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