形成封装的方法以及集成电路器件的封装技术

一种方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔、在所述半导体衬底上形成第一介电层、以及在所述介电层中形成多个接合焊盘。所述多个接合焊盘包括有源接合焊盘和伪接合焊盘。所述有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔。所述第一管芯接合至第二管芯，所述有源接合焊盘和所述伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。本发明专利技术的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。

The method of forming package and the package of integrated circuit device

【技术实现步骤摘要】
形成封装的方法以及集成电路器件的封装
本专利技术的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。
技术介绍
集成电路的封装正变得越来越复杂，其中更多的器件管芯封装在同一封装中以实现更多功能。例如，已经开发了一种封装结构，以在同一封装中包括多个器件管芯，比如，处理器和存储器立方体。封装结构可包括使用不同技术形成的器件管芯，并具有结合到相同的器件管芯的不同功能，从而形成系统。这可节省制造成本并优化器件性能。例如，存储器管芯可接合至逻辑管芯。此外，存储器管芯可形成存储器管芯叠层，其中上部存储器管芯接合至对应的下部存储器管芯。
技术实现思路
根据本专利技术一方面的实施例，提供一种形成封装的方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔；在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘包括第一有源接合焊盘和第一伪接合焊盘，其中，所述第一有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔；以及将所述第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一有源接合焊盘和所述第一伪接合焊盘均接合至所述第二管芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装的方法，包括：/n抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔；/n在所述半导体衬底上形成介电层；/n在所述介电层中形成多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘包括第一有源接合焊盘和第一伪接合焊盘，其中，所述第一有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔；以及/n将所述第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一有源接合焊盘和所述第一伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,396;20190401 US 16/371,8631.一种形成封装的方法，包括：
抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔；
在所述半导体衬底上形成介电层；
在所述介电层中形成多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘包括第一有源接合焊盘和第一伪接合焊盘，其中，所述第一有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔；以及
将所述第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一有源接合焊盘和所述第一伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一有源接合焊盘接合至所述第二管芯中的第二多个有源接合焊盘，并将所述第一伪接合焊盘接合至所述第二管芯中的悬空接合焊盘，并且将所述第二多个有源接合焊盘和所述悬空接合焊盘均电连接至所述第二管芯中的集成电路器件。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过混合接合将所述第一管芯和所述第二管芯接合。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括将伪管芯接合至所述第一管芯。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个接合焊盘还包括第二伪接合焊盘，所述伪管芯还包括接合至所述第二伪接合焊盘的第三伪接合焊盘。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
设置填充介电材料以包围所述第二管芯；
将所述第二管芯和所述填充介电材料平坦化，直至暴露所述第二管芯中的第二通孔；以及
形成第三有源接合焊盘，所述第三有源接合焊盘电耦接至所述第二通孔。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个接合焊盘还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，陈明发，胡致嘉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71